Referate aptarsiu IS schemų gamybos procesus. Daugiausiai paliesiu IS gamybos pasirengimui, technologiniams reikalavimams, taip pat elementų formavimo procesus (paminint bendrus bruožus), IS korpusus, hermetizaciją ir pan.
Įvadas
Šiuo metu pasaulyje vykstant mokslinei-techninei revoliucijai, gamyboje vis plačiau naudojama automatizacija ir robotechnika, vis daugiau taikomos praktikoje informacijos apdorojimo sistemos – nuo mikrokalkuliatorių bei personalinių kompiuterių iki sudėtingiausių elektroninių skaičiavimo mašinų tinklų: bankų sistemos, internetas, skaitmeniniai ryšių tinklai, mobilusis ryšys, medicinos aparatūra ir kt. Automatika ir informacijos apdorojimo sistemos skverbiasi į įvairias žmonių veiklos sritis tuo pačiu ir į buitį. Dabar jau nėra didelė prabanga turėti personalinį kompiuterį namuose, televizorių ar šaldytuvą. Vis labiau skverbiamasi į kosmoso erdves, ten taip pat „knibžda“ žmonių sukurti aparatai: dirbtiniai žemės palydovai, įvairūs planetų zondai, kuriamos kosminės stotys.
Ir nori nenori visos sistemos susiduria su kokybės ir matmenų problema, na bent jau anksčiau tai buvo problema. Šiais laikais pasiektos technologijos leidžia pagaminti aparatūrą iki tokio lygio, kad ji bus nepatogi vartojimui. Antai kaip pavyzdį galime paimti automobilį, jo gabaritus galime labai sumažinti, tačiau ar tai bus patogu žmogui. Taip būtent žmogui, kuris kuria visas sistemas savo gyvenimo gerovei, kad kuo daugiau galima būtų turėti laisvo laiko.
Visų sistemų elementų bazę sudaro integrinės schemos, sukurtos ir gaminamos išsivysčius naujai mokslo ir technikos krypčiai – mikroelektronikai.
Integrinė schema (IS) – tai elektroninis prietaisas, keičiantis, apdorojantis ir kaupiantis signalus, pasižymintis dideliu tarpusavyje elektriškai sujungtų elementų (tranzistorių, rezistorių, diodų ir kt.) tankiu ir sudarantis nedalomą visumą.
IS kelių dešimčių arba kelių šimtų kvadratinių milimetrų plote telpa nuo kelių dešimčių iki kelių milijonų elementų. IS elementų technologinių struktūrų minimalūs matmenys gali būti nuo 0,1 iki 1,0 mikrometro.
Iki 1957m. daugelis puslaidininkinių elementų buvo montuojami kaip atskiri schemų elementai. Tik nuo 1957m. kai buvo sukurti SiO2 sluoksnių precizinės fotolitografijos būdai viskas pamažu keitėsi, o 1961 m. viena JAV firmų paskelbė sukūrusi planarinę technologiją. Ši technologija įgalino gaminti tranzistorius vienoje silicio plokštelės pusėje, todėl daugumą procesų buvo galima atlikti iš karto visiems vienoje plokštelėje telpantiems tranzistoriams. Tai grupinis tranzistorių gamybos principas.
Plono aliuminio sluoksnio laidininkais atitinkamai sujungus plokštelėje suformuotus ir izoliuotus vienas nuo kito tranzistorius, diodus, rezistorius ir kitus elementus, buvo gautos integrinės schemos. Pirmosios IS su dvipoliais tranzistoriais 1963m., o 1964m. pagamintos schemos jau buvo ir su vienpoliais tranzistoriais. Nuo 1967m. gaminamos IS turinčios daugiau kaip 1000 elementų…
Referate aptarsiu IS schemų gamybos procesus. Daugiausiai paliesiu IS gamybos pasirengimui, technologiniams reikalavimams, taip pat elementų formavimo procesus (paminint bendrus bruožus), IS korpusus, hermetizaciją ir pan.
Pilną suarchyvuotą straipsnį (MS Word) galite atsisiųsti čia [1,49 MB].
Referate aptariama
Turinys:
1. Įvadas.
2. Integrinių schemų klasifikacija.
3. Gamybos technologijos bendri bruožai:
3.1. IS gamybos technologijos bruožai;
3.2. IS technologinė higiena.
4. Puslaidininkinių plokštelių paruošimas:
4.1. Reikalavimai plokštelėms;
4.2. Monokristalų auginimas;
4.3. Puslaidininkinių luitų pjaustymas į plokšteles, šlifavimas ir poliravimas;
4.4. Plokštelių paviršiaus valymas.
5. Silicio plokštelių gamyba:
5.1. Oksidavimas;
5.2. Difuzija;
5.3. Epitaksija;
5.4. Fotolitografija;
5.5. Kiti formavimo būdai.
6. IS korpusai ir sujungimai:
6.1. Plokštelės dalijimas į kristalus;
6.2. IS korpusai;
6.3. Kristalų tvirtinimas prie korpusų.
7. Mikroschemų hermetizavimas.
8. Baigiamosios operacijos.
