„Šiuo metu jau yra pasiruošta anglies nanovamzdelių lustų gamybai“, – teigia pirmasis plėvelių (angl. „thin-film“) iš šios medžiagos tiekėjas, siūlantis savo produkciją lustų gamintojams. Gamybos procesai, leidžiantys gauti 20 cm ilgio plėveles iš anglies nanovamzdelių, buvo sukurti „Nantero“ kompanijoje, o plėvelės pagamintos „SVTC Technologies“, jau išleidusios komercinius savo gaminių prototipus, gamykloje. 
„Šiuo metu jau yra pasiruošta anglies nanovamzdelių lustų gamybai“, – teigia pirmasis plėvelių (angl. „thin-film“) iš šios medžiagos tiekėjas, siūlantis savo produkciją lustų gamintojams. Gamybos procesai, leidžiantys gauti 20 cm ilgio plėveles iš anglies nanovamzdelių, buvo sukurti „Nantero“ kompanijoje, o plėvelės pagamintos „SVTC Technologies“, jau išleidusios komercinius savo gaminių prototipus, gamykloje.
„Nantero“ šiuo metu kuria NRAM (angl. „nonvolatile random access memory“) atmintį, kurios pagrindas yra anglies nanovamzdeliai. Kompanija paskelbė, kad NRAM gali būti 20 kartų tankesnė nei „flash“ atmintis, kadangi joje vieno bito celės plotas yra 22 nm2, o įprastų 16 Gbit lustų „flash“ atminties vieno bito celės plotas yra 100 nm2. Žinant šias charakteristikas ir naudojant dabartinę litografijos įrangą įmanoma sukurti 320 Gbit talpos lustą, o tai yra įspūdingas dydis palyginus su dabartinės kartos „flash“ atmintimis. O jeigu būtų naudojama patobulinta litografijos technika, galima būtų pakelti lusto talpą iki terabito, tuo pačiu sumažinant bito celės plotą iki 5 nm2.
Pateikta schema parodo principą, kaip atmintyje yra naudojami anglies nanovamzdeliai. Kaip matome, tarp kontaktų „ištempta“ anglies nanovamzdelių juosta „kabo“ virš elektrodų arba atsiradus statiniam elektros krūviui susiliečia su elektrodu ir suformuoja kontaktą. Šias padėtis galima traktuoti kaip dvi skirtingas atminties celės padėtis. Be to, toje pačioje būsenoje atminties celės, veikiamos van der Waal jėgų, išlieka net ir išjungus elektros energiją.
„Nantero“ teigia, kad anglies nanovamzdeliai gali būti taikomi ne tik NRAM gamyboje, bet ir monitoriams, jutikliniams ekranams, saulės baterijoms ir MEMS įrenginiams gaminti. Kompanija taip pat yra įsitikinusi, kad jų sukurtos technologijos leis naudoti nanovamzdelių plėveles daugelyje įvairių mikroschemų pagrindų tam naudojant bet kurią egzistuojančią CMOS technologiją. Tokiu būdu galima keisti plėvelės storį ir tankumą ar net gaminti jas permatomas, skirtas monitoriams ir ekranams.
„Nantero“ kompanija buvo įkurta 1999 metais, o nuo 2001 iki 2005 metų jos kapitalas išaugo iki 31,5 mln. JAV dolerių, šiuo metu įmonėje dirba 60 žmonių.
