Šiuo metu Santa Claros mieste vykstančioje konferencijoje „Flash Memory Summit“ bendrovė „Samsung Electronics“ pristatė savo naujausius „Flash“ atminties sprendimus. Gamintojas pademonstravo trimatės V-NAND atminties mikroschemas ir didelės talpos 2,5 colių SSD.
Naujo tipo V-NAND atmintis sudaryta iš 64 sluoksnių – 30 proc. daugiau nei jos pirmtakės. Kiekviena sekcija gali saugoti tris bitus informacijos. Kristalo tankis yra 512 Gbit, o duomenų perdavimo sparta siekia 800 Mb/s. Šie parametrai yra srities rekordininkai. Serijiniai gaminiai su naująja atmintimi prekyboje pradės atsirasti ne anksčiau kaip kitą ketvirtį.
Pirmuoju gaminiu su 64 sluoksnių Flash V-NAND atmintimi tapo 2,5 colių kaupiklis su SAS jungtimi ir 32 TB talpa. Pasak „Samsung“, tai yra talpiausias savo kategorijos SSD. Neseniai „Flash Memory Summit“ parodoje pristatytas 60 TB talpos „Seagate“ kaupiklis, apie kurį rašėme anksčiau, yra 3,5 colių formato. „Samsung“ naujiena naudoja 512 V-NAND lustų, suskirstytų po 16 vienetų į 32 blokus. Serijinę šių SSD gamybą planuojama pradėti 2017 metais, o iki 2020 m. „Samsung“ tikisi sukurti daugiau nei 100 TB talpos kaupiklį.
Be to, gamintojas paskelbė sukūręs kaupiklius Z-SSD, kurie pasižymi labai mažu uždelsimu ir didele duomenų perdavimo sparta, kuri gerokai pranoksta šiuolaikinius modelių su NVMe sąsaja galimybes. Šiuos SSD „Samsung“ žada anonsuoti kitais metais.
