Praėjusią savaitę TSMC pristatė patobulintą 16 nm „FinFET“ technologinio proceso versiją, kuris bus naudojama masinių produktų gamyboje 2015 m. Kompanija taip pat pasidalino planais apie 10 nm „FinFET“ technologinį procesą, praneša puslapis „KitGuru“.
Šiuo metu TSMC ir jos klientai eksperimentuoja su 16 nm „FinFET“ technologija. Ši bus pradėta naudoti jau 2015 m. pradžioje, tačiau TSMC tikisi, kad dauguma užsakovų savo dėmesį atkreips į efektyvesnę 16 nm „FinFET+“ technologiją.
Iš 16 nm „FinFET+“ pranašumų galima pažymėti 15 % padidėsiančią spartą, lyginant su 16 nm „FinFET“, tuo tarpu energijos suvartojimo lygis liks nepakitęs. Jei mikroschemų sparta liks ta pati, energijos suvartojimą bus galima sumažinti apie 30 %. Be to, 16 nm „FinFET+“ pasiūlys 40 % didesnę mikroschemų spartą, lyginant su 20 nm technologija.
Įdomu tai, kad pirmieji penkiolika produktų, kurie suprojektuoti, laikantis 16 nm „FinFET+“ normų, gamybai bus perduoti dar 2014 m., tuo tarpu dar 45 sprendimai gamybą pasieks 2015 m. Taip pat pranešama, jog TSMC klientams bus pasiūlyta 16 nm „FinFET Turbo“ technologija, tačiau daugiau informacijos gamintojas neatskleidė.
10 nm „FinFET“ procesas taps trečios kartos technologija, siūlančia vertikalius tranzistorius bei 25 % spartos padidėjimą, lyginant su 16 nm „FinFET+“, kai energijos suvartojimas liks nepakitęs. Tranzistorių tankis mikroschemose šiuo atveju padidės 2,2 karto.
Bandomoji 10 nm „FinFET“ gamyba prasidės 2015 m. IV ketvirtyje, tuo tarpu komercinių mikroschemų pasirodymas laukiamas 2016–2017 m.
Paieška archyve
