Tokijuje vykstančioje „Big Sight“ parodoje „Fujitsu Laboratories“ pristatė labai įdomią naujieną – kompaktiškiausią ir tuo pat metu efektyviausią išmaniųjų telefonų įkroviklį. Prietaiso kūrėjai schemoje panaudojo galio nitrido (GaN) puslaidininkių pagrindu pagamintus didelės galios lauko tranzistorius. Tai buitinės elektronikos prietaisuose kol kas retai naudojamas sprendimas. GaN pagrindu sukurti tranzistoriai, lyginant su įprastiniais silicio lauko tranzistoriais, gali veikti dešimt kartų didesniais dažniais. Prie to prisideda didelis galio nitrido elektronų judrumas. GaN tranzistoriai turi mažą dinaminį pasipriešinimą ir žemą įtampos persijungimo slenkstį.
Visa tai leidžia pagaminti mažesnių matmenų maitinimo blokus, kurie gali perduoti stipresnes sroves su mažesniais konvertavimo nuostoliais. „Fujitsu“ išmaniųjų telefonų įkroviklio prototipo tūris yra vos 15 kubinių centimetrų, o jo atiduodama elektros srovės galia yra 12 vatų. Efektyvumas siekia 87 proc. Pastarasis yra ne mažiau svarbus, nei mažas dydis ir srovės galia, kadangi išmaniųjų telefonų baterijų talpa palaipsniui auga, todėl ilgėja įkrovimo laikas. Kuo didesnis srovės keitimo efektyvumas, tuo mažiau veltui išeikvojama energijos, o tai teigiamai atsiliepia ekonomikai ir ekologijai. „Fujitsu“ sukurta grandinė ir GaN tranzistorių panaudojimas praktiškai pašalina kintamosios srovės vertimo nuolatine srove parazitinius pereinamuosius procesus.
Kūrėjai mano, kad pristatytas maitinimo šaltinio prototipas išmaniojo telefono bateriją įkraus tris kartus greičiau už tipiškus šiuolaikinius įkroviklius. Reikėtų pridurti, kad 2016 metų vasarį JAV savo teritorijoje leidžiama pardavinėti tik tokius išorinis maitinimo šaltinius, kurių efektyvumo lygis atitinka naujojo „Level VI“ standarto reikalavimus. „Fujitsu“ prototipas, kaip matyti žemiau pateiktoje diagramoje, šiuos reikalavimus gerokai viršija ir įstatymo nepažeis.
GaN tranzistoriais paremtų įkroviklių prekybą bendrovė tikisi pradėti 2017 metų balandžio mėnesį.
Paieška archyve
