Kol kontraktinių gamintojų rinkoje neatsirado „naftos doleriais“ maitinamos kompanijos „Globalfoundries“, toks kontraktinių mikroschemų gamintojas kaip „United Microelectronics Corp.“ (UMC) gyveno gana ramiai. Tačiau kada nors viskas keičiasi. Šiuo metu analitikai daro išvadą, jog „Globalfoundries“ jau aplenkė UMC pagal iš užsakymų gaunamų pajamų lygį. Aišku, būdama privačia kompanija, „Globalfoundries“ tikslių skaičių apie savo pajamas neteikia, tačiau šiuo atveju tikslios statistikos ir nereikia. Svarbu pats faktas, jog UMC gali netekti bent dalies per ilgus metus užgyventų klientų.
Ką gi tokioje situacijoje kompanijai UMC reikia daryti? Pinigų nėra, o postūmis į priekį reikalingas. Ir kompanijoje išeitis buvo rasta (bent jau taip mano jos vadovybė). Taigi savaitgalį UMC pranešė, jog ji iš kompanijos IBM licencijuos 3D-tranzistorių „FinFET“ technologiją ir adaptuos ją savo 20 nm technologiniam procesui.
Svarbu pažymėti ir tai, jog UMC nepriklauso taip vadinamai „Common Process Platform“ grupei, į kurios sudėtį įeina toks technologinių kompanijų aljansas, kaip, pavyzdžiui, IBM, „GlobalFoundries“ ir „Samsung“. Pastarosios kompanijos, beje, „FinFET“ tranzistorių gamybą įdiegs tik 2014 m. arba 2015 m., kai debiutuos 14 nm technologinis procesas (TSMC tai žada padaryti maždaug tuo pačiu laikotarpiu). Kitais žodžiais tariant, su savo patobulintu technologiniu procesu UMC gali mažiausiai metams aplenkti savo „donorus“. Tačiau svarbiausia yra tai, jog bus galima mesti iššūkį kompanijai „GlobalFoundries“.
„FinFET“ tranzistorių adaptavimas 20 nm technologiniam procesui suteikia UMC dar viena privalumą. Jei pamenate, savo laiku TSMC prisipažino, jog 20 nm technologijos rėmuose negalės savo klientams pasiūlyti unikalių sprendimų, kurie būtų pritaikyti energetiškai efektyvioms bei didelės spartos reikalaujančioms mikroschemoms. Iki šiol technologiniai procesai būdavo papildomai derinami, kad maksimaliai atitiktų mikroschemos paskirtį. Savo ruožtu, UMC su savo 20 nm technologija tai pasiūlyti galės: įprastos 20 nm mikroschemos – galingoms mikroschemoms, tuo tarpu „FinFET“ tranzistorių naudojimas patiks tiems klientams, kurie nori energetiškai efektyvių sprendimų, pavyzdžiui, „SoC“ sistemų išmaniesiems telefonams ir planšetiniams kompiuteriams.
Priminsime, jog pirmuoju 3D-tranzistorių gamintoju tapo kompanija „Intel“, kuri 22 nm technologinio proceso rėmuose pristatė „3D Tri-Gate“ technologiją, kurios pagrindu sukurti „Ivy Bridge“ architektūros procesoriai.
