„InnoGrit“ kompanija „Computex 2025“ parodoje pristatė kietojo kūno kaupiklį „N3X“, aprūpintą „InnoGrit Tacoma IG5669“ valdikliu ir antros kartos „XL-Flash“ nuolatine atmintimi, veikiančia SLC režimu. Šis įrenginys skirtas įmonių darbo krūviams, jautriems atminties delsoms ir reikalaujantiems maksimalaus patikimumo.
„InnoGrit N3X“ naudojamas valdiklis atitinka „NVMe 2.0“ protokolą ir palaiko „PCIe 5.0 x4“ sąsają. Kaupiklis užtikrina nuolatinį skaitymo greitį iki 14 GB/s, įrašymo greitį iki 12 GB/s, taip pat įspūdingą atsitiktinio skaitymo našumą iki 3,5 mln. IOPS ir atsitiktinio įrašymo našumą apie 700 tūkst. IOPS.
Pagrindinė „InnoGrit N3X“ savybė, išskirianti jį iš įprastų ir net kitų gamintojų SSD, yra mažas skaitymo ir įrašymo operacijų delsimas. Skaitymo delsa siekia mažiau nei 13 mikrosekundžių. Palyginimui, įprasti SSD, naudojantys „3D TLC NAND“ lustus, turi 50–100 mikrosekundžių delsą. Įrašymo delsa siekia 4 mikrosekundes (palyginti su 200–400 mikrosekundėmis „3D TLC NAND“ kaupikliuose), todėl šis įrenginys ypač naudingas talpyklai, DI skaičiavimams, operatyviajai atminčiai ir realaus laiko analitikai. „InnoGrit N3X“ siūlo talpas nuo 400 GB iki 3,2 TB (su 32–256 atminties lustais), todėl šie SSD yra patraukli alternatyva nebegaminamiems „Intel Optane“ sprendimams.
Kaupiklio ilgaamžiškumo rodiklis taip pat įspūdingas: 50 DWPD (pilnų perrašymo ciklų per dieną) per 5 metus, o tai gerokai pranoksta standartinius įmonių NAND kaupiklių ilgaamžiškumo rodiklius ir daro jį idealų intensyvaus įrašymo užduotims, tokioms kaip talpykla, DI išvestys ir duomenų perdavimas, kur ilgaamžiškumas ir stabilus veikimas yra itin svarbūs.
„InnoGrit“ mano, kad jų partneriai galėtų kurti kietojo kūno kaupiklius su „XL-Flash“ lustais ir „IG5669“ valdikliu „U.2“ arba „E3.S“ formatais, skirtuose serveriams. Tačiau platforma taip pat leidžia kurti kaupiklius kaip plėtinių korteles staliniams kompiuteriams ir aukštos našumo asmeniniams kompiuteriams.
„Kioxia“ „XL-Flash“ yra aukštos našumo NAND technologija, sukurta sumažinti delsos skirtumą tarp DRAM ir įprastos „flash“ atminties, todėl ji tinka kaip nuolatinė atmintis įmonių užduotims, kurioms reikalinga itin greita atmintis, artima DRAM. Antros kartos „XL-Flash“ „Kioxia“ padvigubino tankį, naudodama MLC (daugiasluoksnės ląstelės) architektūrą, leidusią padidinti atminties kristalo talpą nuo 128 Gbit iki 256 Gbit. Vis dėlto „InnoGrit“ mano, kad šią atmintį verta naudoti SLC konfigūracijoje siekiant aukštesnio našumo, nes būtent to labiausiai reikia tokių kaupiklių vartotojams.
Iš pradžių „Kioxia“ pozicionavo „XL-Flash“ kaip konkurentą nebegaminamai „Intel Optane“ atminčiai. Dabar galima teigti, kad „XL-Flash“ pakeičia „Optane“.
Paieška archyve
