2024 m. vasario 18-22 d. San Franciske vyks 2024 m. ISSCC (International Solid-State Circuits Conference) renginys, o „Samsung“, regis, yra pasirengusi suderbinti parodą pristatydama naujus atminties sprendimus. Korporacija sukūrė naujos kartos QLC NAND Flash atminties lustus, kuriuos sudarys 280 sluoksnių, o jų tankis sieks 28,5 Gb viename kvadratiniame milimetre.
Teigiama, kad naujieji „Samsung“ QLC NAND V9 lustai yra 50 % tankesni už konkurentų (YMTC 232L), todėl šiuo metu užtikrina didžiausią ploto tankį Flash atminties pramonėje (QLC ar TLC). QLC NAND V9 mikroschemos taip pat yra greitesnės – didžiausia duomenų perdavimo sparta yra 3,2 Gb/s, palyginti su 2,4 Gb/s duomenų perdavimo sparta, kurią užtikrino ankstesnės kartos mikroschemos.
„Tom’s Hardware“ pastebi, kad duomenų perdavimas ir našumas vis dar yra QLC pagrindu veikiančių SSD diskų problema, tačiau 3,2 Gb/s pralaidumas turėtų būti daugiau nei pakankamas, kad naujosios mikroschemos taptų įtikinamu sprendimu PCIe SSD diskams. Dėl QLC NAND V9 technologijos „Samsung“ netrukus gali pradėti pardavinėti 16 TB M.2 SSD.
Per artėjančią ISSCC konferenciją įvyksiantis „Samsung“ pristatymas turėtų bent jau patvirtinti, kad bendrovė daro didelę pažangą plėtodama QLC technologiją. Dabartiniuose QLC pagrįstuose SSD diskuose naudojamos didelės spartinančiosios atmintinės, kurios gali užimti iki 25 proc. visos disko talpos, todėl našumo problema šiek tiek palengvėja. Kai spartinančioji atmintinė yra užpildyta, įrašymo greitis gali sumažėti ir nukristi iki žemesnio nei SATA lygio (100-300 MB/s).
Šiuo metu su „Samsung“ QLC saugyklų rinkoje konkuruoja tokie atminties gamintojai kaip „Micron“, sukūrusi 232 sluoksnių QLC lustą, užtikrinantį 19,5 Gb atminties tankį viename kvadratiniame milimetre. YMTC taip pat kuria rekordinį QLC atminties sprendimą, turintį 232 sluoksnius ir 20,62 Gb tankį kvadratiniame milimetre.
