Atmintinė, pagaminta iš mažyčių puslaidininkio salelių – vadinamų kvantiniais taškais – gali užpildyti dabartinių duomenų saugojimo technologijų paliktą nišą – tokioje atmintinėje saugomi duomenys yra ir greitai pasiekiami, ir ilgai išlaikomi.
Dabartinės kieto kūno atmintinės būna dvejopos – greita DRAM atmintinė, pasižyminti greita prieiga prie duomenų, tačiau kad jie nepradingtų, duomenys turi būti atnaujinami 100 kartų per sekundę, ir „Flash“ atmintinė, naudojama atminties kortelėse ir nešiojamuose įrenginiuose, be atnaujinimo galinti saugoti duomenis metų metus, tačiau apie 1000 kartų lėtesnė už DRAM.
Naujausių tyrimų rezultatai rodo, kad kvantinių taškų atmintinė gali apjungti abiejų kieto kūno atmintinių privalumus – ilgą laiką saugoti duomenis bei įrašyti ir nuskaityti juos greičiu, artimu DRAM. Be to, glaudus kvantinių taškų masyvas, sudarytas iš apie 15 nanometrų skersmens „salelių“, viename kvadratiniame colyje galėtų saugoti vieną terabaitą duomenų.
Dieter Bimberg kartu su kolegomis iš Berlyno technikos universiteto, padedamas Istanbulo universiteto specialistų, sėkmingai įrašė duomenis į kvantinių taškų atmintinę per 6 nanosekundes.
„Pirmasis atmintinės prototipas pasirodė besąs beveik toks pat spartus, kaip ir DRAM atmintinė“ - teigė studijos bendraautorius Andreas Marent iš Berlyno technikos universiteto.
Greičiausias įrašymo greitis buvo pasiektas naudojant indžio arsenido ir galio arsenido puslaidininkių mišinį, tačiau ir naudojant kitus mišinius gauti rezultatai buvo įspūdingi – duomenų įrašymui prireikė tik 14 nanosekundžių.
Nanosekundiniai įrašymo greičiai – ne riba. Marent teigimu, „Fizinė įrašymo greičio riba matuojama pikosekundėmis. Tai reiškia, kad tobulesnis įrenginio prototipas už DRAM būtų greitesnis daugiau negu 100 kartų“.
Anot Claes Thelander iš Lund universiteto Švedijoje, atmintinė, galinti sujungti DRAM ir „Flash“ atmintinių privalumus, būtų „atmintinių šventasis gralis“.
Paieška archyve
