Nors išmaniojo telefono atminties talpa yra vienas iš svarbiausių pardavimo argumentų vartotojui, dažnai neatsižvelgiama į atminties tipą. Daugumoje „Android“ išmaniųjų telefonų (ir daugelyje elektronikos prietaisų) naudojama UFS (Universal Flash Storage), o daugumoje flagmanų šiuo metu naudojama 3.0 arba 3.1 UFS atmintis saugykla.
Antradienį „Samsung“ pristatė UFS 4.0 atmintį, kurioje naudojama „Samsung“ 7 kartos V-NAND atmintis ir patentuotas valdiklis su iki 4200 MB/s nuosekliojo skaitymo ir iki 2800 MB/s nuosekliojo rašymo sparta. Naujoji atminties technologija taip pat užtikrina 46 % didesnį energijos vartojimo efektyvumą, palyginti su ankstesnės kartos nuosekliojo skaitymo sparta.
Per vieną liniją UFS 4.0 palaiko iki 23,2 Gb/s pralaidumą, t. y. dvigubai daugiau nei UFS 3.1. „Samsung“ giriasi, kad toks „pralaidumas puikiai tinka 5G išmaniesiems telefonams, kuriuose reikia apdoroti didžiulius duomenų kiekius“, ir tikisi, kad ši technologija bus pritaikyta VR, AR ir automobiliams.
Naująją atminties technologiją galima sukonfigūruoti taip, kad ji palaikytų iki 1 TB atminties, todėl tikimės, kad tai reiškia, jog pradėsime matyti daugiau išmaniųjų telefonų su 512 GB ir 1 TB talpykla. „Samsung“ tikisi, kad masinė UFS 4.0 atminties gamyba prasidės trečiąjį ketvirtį, todėl galime tikėtis, kad išmaniuosius telefonus su naująja technologija pamatysime metų pabaigoje arba „Galaxy S23“ serijoje, kuri turėtų pasirodyti 2023 m. pirmąjį ketvirtį.
Paieška archyve
