Bendrovės „Intel“ vykdomasis direktorius Paulas Otellinis pranešė, kad bendrovė yra pasiruošusi „dvigubai pagreitinti Moore'o dėsnį“, postuluojantį, jog komponentų tankis mikroschemose padvigubėja maždaug kas dvejus metus, ir planuojanti 2013 m. įdiegti 14 nanometrų technologinį procesą, skelbia „The Inquirer“.
Pasak „Intel“ vadovo, 2013 metais rinkai bus pateikti pirmieji pagal 14 nm technologiją pagamintieji mobilieji procesoriai.
Šiuo metu „Intel“ gamina lustus naudodama 32 ir 22 nm technologinius procesus. 22 nm procese naudojama naujoji „Tri-Gate“ erdvinių tranzistorių gamybos metodika.
Skelbiama, kad artimiausiu metu prie 22 nm gamybinio proceso pereis dvi „Intel“ gamyklos Jungtinėse Valstijose („Fab D1D/C“ Oregone ir „Fab 32/12“ Arizonoje) bei Izraelyje veikianti gamykla „Fab 28“.
2013 metais „Intel“ pradės diegti 14 nm gamybos technologiją. Ją naudos dvi bendrovės gamyklos JAV ir viena Airijoje. O po 2015 metų „Intel“ planuoja pradėti diegti 10 ir 7 nanometrų lustų gamybos technologijas, o dar vėliau ketina pereiti jau prie 5 nanometrų tikslumo technologinio proceso. Mokslininkų teigimu, daugelio atomų skersmuo siekia nuo 0,1 iki 0,5 nm.
