Šiandieninė puslaidininkių industrijos būsena tokia, kad Mūro dėsnis gali būti palaidotas kartą ir visiems laikams. Seni 193 nm skeneriai negali taip paprastai įveikti 25 nm barjero, tuo tarpu 13 nm EUV sprendimai tinkami naudoti tik laboratorijose.
Kaip vienas iš problemos įveikimo variantų, pavyzdžiui, yra „Toshiba“ ir „Canon“ projektas. Kompanijos ketina pasinaudoti nanospausdinimą litografija ir taip kurti 15 nm „flash“ atminties mikroschemas. Tačiau yra ir kitas rezervas – fotolitografija su savaime besiorganizuojančiomis struktūromis.
Pastarosios leidžia sukurti polimerą, turintį organinių ir neorganinių molekulių, į kurias, siekiant pridėti molekulinės masės, įnešamas puslaidininkio atomas. Tiesioginės projekcijos metu ant puslaidininkių plokštelės sudėliojami cheminiai markeriai, tarp kurių molekulės pradeda susirinkinėti pačios. MIT mokslininkų teigimu, taip galima be didelio vargo įveikti 20 nm barjerą.
Toks fotolitografijos tipas leidžia kurti paveiksliuką su gana smulkiais elementais, tačiau progresuojant technologiniam procesui, tokio metodo sparta radikaliai mažėja. Šiuo atveju siūloma jau projekcijos metu įnešti paruoštų molekulių struktūrų šablonus. Taip gaunamas savotiškas nepertraukiamas ciklas. Ekonomiškai tai naudingesnis sprendimas nei keturių–penkių ciklų procesas, naudojamas su tradicine įranga.
Beje, bandymus su savaime besiorganizuojančiomis struktūromis prieš porą metų aktyviai vykdė kietų diskų gamintojai. Tikslas buvo ant magnetinių plokštelių sukurti reguliarias, įmagnetintas struktūras. 2010 m. kompanija „Hitachi“ parodė plokštelę, kurioje kiekvienas taškas buvo 12 nm skersmens.
Tuo pačiu metu reikia suprasti, kad sukurti lygiai tokiu pačiu atstumu vieną nuo kitos nutolusias „saleles“ – tai viena, tuo tarpu nupiešti sudėtingą fotokaukę – visiškai kitas dalykas.
