Įsivaizduokite save esant visiškai mažą, kad galėtumėte stebėti elektronus, ir stovintį ant krašto medžiagos, kuri tuojau taps kompiuteriniu lustu. Žemyn lekiantys elektronai ėsdina medžiagoje tikslią struktūrą, kurios gylis atitinka Didžiojo Kanjono gylį. Mokslininkų iš JAV Energijos departamento Argonne nacionalinės laboratorijos nuomone naujoji patobulinta ėsdinimo forma gali atverti kelius naujoms technologijoms.
Argonne nacionalinės laboratorijos mokslininkas Setas Dalingas (Seth Darling) su kolegomis iš Nanomatmenų medžiagų ir energijų sistemų skyriaus (Nanoscale Materials and Energy Systems Division) mano, kad jų pasiūlyta ėsdinimo technologija turi didelį potencialą, nes jos dėka pasikeis įvairių šablonų perkėlimas ant skirtingų medžiagų. Tai leis sukurti visiškai naujus energijos generavimo būdus, elektronikos ir atminties technologijas. Atradime derinami visiškai nauji metodai su sena ir įprasta technologija.
Vienas iš svarbiausių dabartinių klausimų, su kuriuo susiduria medžiagų mokslas, yra naujų geresnių metodų, skirtų didelės skiriamosios gebos litografijai, kūrimas. Iš tokių metodų galima išskirti elektronų spinduliuotės litografiją. Elektronų spinduliuotės litografija naudojama gaminant smulkiausias struktūras, tame tarpe mikroelektroniką ir sudėtingus jutiklius. Elektronų spinduliai yra viso proceso dalis, kurio metu ant medžiagos gaunamos norimos struktūros. Gilesnių struktūrų medžiagoje kūrimas leistų mokslininkams konstruoti geresnę elektroniką.
Naudojant elektronų spinduliuotės litografiją, struktūra medžiagoje gaunama patalpinus šabloną papildomame sluoksnyje ant medžiagos. Kadangi šis sluoksnis yra labai plonas ir trapus, dedamas tarpinis kietas sluoksnis. Idealiu atveju kietas sluoksnis bus prilipęs prie medžiagos pakankamai ilgai, kad pageidaujamos struktūros būtų išėsdintos. Tačiau dar vienas sluoksnis reiškia ne tokią ryškią išėsdintą struktūrą bei papildomas išlaidas ir naujas problemas.
Per paskutinius keletą metų Dalingas su kolegomis sukūrė metodą, pavadintą nuoseklia įsiskverbimo sinteze (angl. sequential infiltration synthesis). „Naudojant mūsų metodą pradinis plonas ir trapus sluoksnis tampa tvirtu, kai į jį įsiskverbia neorganinė medžiaga, – paaiškino Dalingas. – Todėl nebereikalingas kietas tarpinis sluoksnis. Tokiu būdu apeinamos visos problemos, susijusios su šiuo sluoksniu.“
„Galima gauti labai siaurus griovelius apie vieno mikrono gylio, naudojant labai ploną sustiprintą sluoksnį, kuris mūsų dabartiniu požiūriu būtų didelis proveržis į priekį“, – paaiškino jis.
