„Toshiba“ kompanija, gamindama lauko tranzistorius, kuriuose naudojamas galio nitridas, jau pasiekė nemažų laimėjimų. Vieni paskutiniųjų pasiekimų buvo praėjusių metų gale sukurti GaN tipo tranzistoriai, dirbantys 9,5 GHz dažniu ir pasižymintys 81,3 W išėjimo galia. Tai yra rekordinis šios srities pasiekimas. Kaip ir buvo žadėta, japonų inžinieriai pastaruoju metu didžiausią dėmesį skyrė 12-18 GHz dažnio (vadinamo „Ku-band“ diapazono) lauko tranzistorių gamybai. Jų darbo rezultatu tapo 65,4 W išėjimo galios tranzistorius, galintis dirbti 14,5 GHz dažniu.
Naujųjų lauko tranzistorių struktūrai būdingi AlGaN ir GaN sluoksniai, kurie formuojami ant silicio karbido. Kad būtų optimizuotas darbas 14,5 GHz dažniu, inžinieriai sumažino tranzistoriaus užtūros ilgį iki 0,3 mikronų. Taip pat buvo stengiamasi pagerinti šilumos išsklaidymą.
Nauji „Toshiba“ gaminiai bus naudojami palydovinėse ir radarų sistemose. Pirmieji pavieniai GaN tranzistoriai bus pagaminti šių metų pabaigoje, o masinė gamyba bus pradėta 2008 metų kovą. v Be abejo, „Toshiba“ šioje vietoje sustoti neplanuoja ir ateityje žada sukurti 18-30 GHz dažnio („Ka-band“ diapazono) tranzistorius.
Naujojo tranzistoriaus pagrindinės savybės:
Santakos įtampa : 30V
Išėjimo galia: 65,4 W
Darbo dažnis: 14,5 GHz
Lusto išmatavimai: 3,4 х 0,53 mm
Korpuso išmatavimai: 21 х 12,9 mm
