„Samsung“ paskelbė apie masinę pirmųjų pasaulyje naujos kartos GDDR7 atminties lustų gamybą, o pirmoji bendrovės gaminama GDDR7 atminties versija sukurta naudojant tą patį D1z techprocesą kaip ir 24 Gb/s GDDR6 atminties gamyboje. D1z yra mažesnės nei 10 nm klasės techprocesas, kuriame naudojama EUV litografija.
Pirmosios kartos GDDR7 atminties lustas siūlo 32 Gb/s duomenų perdavimo spartą esant 1,2 V DRAM įtampai, palyginti su 1,35 V, kuria veikia kai kurie spartesni GDDR6 lustai. Nors absoliučiais skaičiais pJpb (piko-džaulių vienam bitui) yra 7 proc. didesnis nei dabartinės kartos, siūlomai 32 Gb/s duomenų perdavimo spartai jis yra 20 proc. mažesnis, palyginti su 24 Gb/s GDDR6 lustu. Paprasčiau tariant, GDDR7 atmintis yra 20 % efektyvesnė energijos vartojimo požiūriu.
Pastebima, kad šis energijos vartojimo efektyvumo padidėjimas yra grynai architektūrinis, o ne dėl kokių nors D1z litografijos patobulinimų. GDDR7 naudoja PAM3 signalizaciją, palyginti su įprastinės GDDR6 NRZ signalizacija ir GDDR6X ne JEDEC standarto, kurį NVIDIA sukūrė kartu su „Micron Technology“, PAM4 signalizacija.
