Pažangiųjų atminties technologijų lyderė „Samsung Electronics“ paskelbė, jog pradeda masinę 1 gigabito (Gb) DDR2 DRAM atminties gamybą naudojant 80 nanometrų (nm) technologinį procesą. Iki šiol monolitinės 1 Gb talpos DDR2 atminties mikroschemos gamintos naudojant 90 nm technologijas, kurios yra brangesnės ir mažiau efektyvios.
Pritaikius 80 nm technologinį procesą, „Samsung“ pradeda gaminti mažiausią pasaulyje DRAM mikroschemą, kurios kraštinės vos 11 x 11.5 mm. Tai 36 proc. mažesnė mikroschema už iki šiol mažiausią 90 nm procesu gamintą 11 x 18 mm DRAM mikroschemą.
1 Gb DRAM mikroschemos šiandien naudojamos aukšto pajėgumo DRAM moduliuose kitos kartos serveriuose. Šiems modeliams priskiriama ir 4 GB DIMM (buffered Dual In-line Memory Module) ir 2 GB maži SODIMM (Small Outline Dual Inline Memory Module) atminties moduliai.
Sukurti 4 GB modulį reikia trisdešimt šešerių 1Gb DRAM atminties mikroschemų. Konfigūruoti mikroschemas galima dviem būdais: sudedant dvi mikroschemas viena ant kitos arba patalpinant jas į tą patį 1 paketą. Atsisakius mikroschemų sudėjimo viena ant kitos, gamybos procesas tampa paprastesnis, pigesnis.
Rinkos tyrimų kompanijos „Gartner“ duomenimis, DRAM atminties lustų rinkos vertė šiais metais yra 28.7 mlrd. JAV dolerių. Manoma, jog 2008 m. ji pakils iki 37.8 mlrd. JAV dolerių. Šiuo metu 1 Gb DRAM sudaro 8 proc. visos rinkos. Manoma, jog 2008 m. 1 Gb DRAM atminties lustai sudarys 36 proc. visų parduodamų DRAM atmintinių.
Šiuo metu „Samsung“ gamina visų svorių DDR2 DRAM 80 nm technologiniu procesu. Pirmasis 512 Mb DDR2 DRAM 80 nm procesu pagaminta 2007 kovo mėn.
