Šis išradimas priklauso puslaidininkinių fotodetektorių sričiai ir gali būti naudojamas didelio pasikartojimo dažnio, tame tarpe ir terahercinio dažnio, optinių signalų detektavimui, matavimui ir vertimui elektriniais signalais.
Didelės spartos fotodetektoriaus darinys ir jo gamybos technologija gali būti naudojami gaminant plačiajuosčius optoelektroninius komponentus ir sistemas, tame tarpe optinio ryšio sistemų imtuvus ir terahercinius emiterius, apšviečiamus dviejų skirtingų bangos ilgių lazerių pluošteliais. Ypač platų pritaikymą spartūs fotodiodai turi telekomunikacijose. Ten jie naudojami šviesolaidžiais perduodamų signalų detektavimui.
Šiuo išradimu siekiama sukurti fotodiodą su judančiais vieno tipo krūvininkais, kurio charakteristikos būtų geresnės nei tradicinių tokio tipo fotodiodų su InGaAs sugėriklio sluoksniais ir InP kolektoriaus sluoksniais.
Siūlomas puslaidininkinis fotodiodas, sudarytas iš p-tipo laidumo sugėriklio sluoksnio, nelegiruoto kolektoriaus sluoksnio ir dviejų n-tipo ir p-tipo laidumo kontaktinių sluoksnių, kur sugėriklio sluoksnis yra pagamintas iš puslaidininkio, turinčio savyje bismuto atomų. Taip sumažinami laidumo juostos lygmenų trūkiai. Naudojant sugėriklio sluoksnyje Bi turinčią puslaidininkinę medžiagą, galima pagerinti tokius fotodiodo veikos parametrus, kaip jo jautrį ir spartą.
Išradėjai: Arūnas Krotkus, Andrėjus Geižutis, Vaidas Pačebutas.
