Kompanija „Crossbar“ pranešė, kad aktyviai testuoja energetiškai nepriklausomos atminties ReRAM (RRAM) masyvus. Analogišką rezistyvinę atmintį testuoja ir kitos kompanijos, tačiau bene garsiausias konkurentų – HP proteguojami memristoriai.
Apie naujo tipo atmintį kompanija „Crossbar“ pradėjo kalbėti dar 2013 m. rugpjūčio mėnesį. Nuo konkurentų sprendimų jos projektas skiriasi tuo, jog čia galima naudoti tradicinį CMOS litografinį procesą.
Naujos atminties konstrukcija numato, kad joje naudojami keli elektrodai, tarp kurių yra aktyvus izoliatorius. Esant įtampai, izoliatoriaus sluoksnyje sukuriamos laidžios gijos, o poliariškumo pakeitimas išvalo atminties celę. Taip pat nurodoma, kad kiekvienas tranzistorius yra prijungtas prie vieno rezistoriaus.
Naudojama schema leidžia pasiekti didelę spartą, o kartu mažus duomenų perdavimo užlaikymus. Bandymai su ReRAM prototipais parodė, jog šios atminties sparta yra 20 kartų didesnė, nei dabar naudojamos NAND „Flash“. Kompanijos „Crossbar“ atstovų teigimu, naujieji sprendimai DRAM atminties nepakeis, tačiau SSD – visiškai įmanoma.
Bandomojo ReRAM masyvo talpa sudarė 1 MB. 2016 m. kompanija žada pristatyti 8 MB talpos atminties mikroschemas, tuo tarpu 1 TB talpą jos pasieks dar po kelerių metų. Trumpai tariant, projektas serijinės gamybos stadiją pasieks dar negreitai, o varžovams tai gali suteikti konkurencinį pranašumą.
Bene didžiausios „Crossbar“ atstovų viltys susijusios su tuo, kad ReRAM atminties gamyba yra gana paprasta. Esant daugiaaukštei konstrukcijai, šiose mikroschemose nereikės naudoti skersai einančių vertikalių kanalų, kadangi kiekvienas sluoksnis bus savarankiškas. Kūrėjai dabar derasi su stambiais mikroschemų gamintojais dėl naujos technologijos licencijavimo.
