P. Korėjos atminties mikroschemų gamintoja „SK Hynix“ pranešė, kad pristatė pirmąją pramonėje 8 GB talpos atminties mikroschemą, kuri sukurta LPDDR4 standarto pagrindu.
„SK Hynix“ sukurta LPDDR4 atmintis dirba, esant 1,1 V įtampai, o jos vieno kontakto duomenų pralaidumas sudaro 3200 Mbit/s. įdomiau yra tai, jog „SK Hynix“ kalba apie glaudų bendradarbiavimą su „SoC“ mikroschemų kūrėjais. Pastarieji jau gauna naujo tipo atminties mikroschemų egzempliorius.
Kokio technologinio proceso pagrindu bus gaminama LPDDR4 atmintis, gamintojas nepatikslino. Tikėtina, kad tai bus 20 nm, kadangi šią technologiją šių metų pabaigoje bus sėkmingai įdiegę daugumą didžiųjų puslaidininkių mikroschemų gamintojų.
Masinė 8 GB talpos LPDDR4 mikroschemų gamyba „SK Hynix“ gamyklose prasidės 2014 m. antroje pusėje. Teoriškai tai reiškia, kad išmaniųjų telefonų ir planšetinių kompiuterių gamintojai savo sprendimus su šia atmintimi galės pasiūlyti 2014 m. pabaigoje, tačiau iš tikrųjų masinis šios mobilios atminties pasirodymas numatytas tik 2015 m.
Dominuoti mobilių įrenginių rinkoje LPDDR4 pradės 2016 m. Šiandien šio tipo atminties techninės specifikacijos dar nėra galutinai patvirtintos, tad visai tikėtina, kad jos dar bus tobulinamos.
Lyginant su LPDDR3 atmintimi, naujoji LPDDR4 žada iki 50 % padidinti spartos lygį bei sumažinti energijos suvartojimą 40 %. Keturių kristalų viename korpuse pakuotė leidžia gauti 4 GB. Tai užsimena apie operatyvios atminties padidinimą nuo dabartiniuose flagmanuose esančių 3 GB iki 4 GB. Kiek iš to bus praktinės naudos, šiuo metu pasakyti sunku.
