Išmaniųjų telefonų energijos suvartojimo lygis auga kaip ant mielių. Galingiausi modeliai, jei tik gauna pakankamai didelę apkrovą (įskaitant naršymą internete, nuolat įjungtą „Wi-Fi“, vaizdinės medžiagos peržiūrą ir t. t.) dažnai be rozetės gali išbūti vos parą. Nežiūrint į gamintojų diegiamus patobulinimus ir kitokias išradingas technologijas, kurios turėtų padidinti ekranų ir procesorių energetinį efektyvumą, tokių mobilių įrenginių autonominio darbo laikas per daug trumpas, kad jį būtų galima vadinti komfortišku. Vis tik procesoriaus dažnis ir ekrano įstrižainė toli gražu nėra vieninteliai faktoriai, kurie rimtai įtakoja baterijos išeikvojimo spartą.
Planšetiniai kompiuteriai ir išmanieji telefonai, kaip ir daugelis kitų elektronikos įrenginių, naudoja DRAM kaip operatyviąją atmintį ir SRAM kaip procesorių spartinančiąją atmintį. Abu šie standartai buvo sukurti seniai ir pirmiausia pritaikyti asmeniniams kompiuteriams, todėl į energetinį efektyvumą tikrai nepretenduoja. Be to, kad būtų palaikytas darbingumas, reikalinga elektros energija, o visiškas maitinimo atjungimas reikalauja perkrauti operacinę sistemą su visomis iš to sekančiomis pasekmėmis.
Tinklalapis „Computerworld UK“ praneša, kad japonų korporacija „Toshiba“ sukūrė magnetorezistyvinės atminties mikroschemas MRAM, kurios skirtos specialiai mobiliesiems telefonams. Pastarasis atminties tipas neturi dabartinių DRAM ir SRAM trūkumų; ji yra greita ir energetiškai nepriklausoma. Iš pradžių MRAM ketinama panaudoti kaip procesorių spartinančiąją atmintį, o tai, „Toshiba“ specialistų teigimu, sumažins procesorių apetitą 75 %, kartu sumažins ir kreipimųsi į operatyviąją atmintį skaičių.
Kiti etapai numato, kad bus pakeista DRAM atmintis. Tai leis visiškai atjungti operatyviąją atmintį ramybės būsenoje, o taip pat paspartinti aktyvių programų darbą. Galiausiai paskutinis etapas numato MRAM atminties panaudojimą vietoj dabartinių „NAND Flash“ mikroschemų, kurios dabar naudojamos kaip duomenų kaupikliai. „Toshiba“ sukurtos atminties mikroschemos bus gaminamos, naudojant 30 nm technologinį procesą. Tiesa, kada tiksliai sulauksime tokios atminties ir kiek ji kainuos, japonų kompanija nepraneša.
