Didžiausia pasaulyje DRAM atminties gamintoja „Samsung Electronics“ pranešė planuojanti pradėti naujos kartos daugelio lygių atminties HMC (Hybrid Memory Cube) mikroschemų gamybą ir laukianti HMC technologijos standartizavimo pabaigos. Planuojama, kad tai įvyks iki kitų metų pabaigos. Tokiu atveju „Samsung“ HMC atmintį pradėtų gaminti 2013–2014 metais, pranešė bendrovės atstovai.
Bendrovių „Intel“ ir „Micron“ bendromis pastangomis sukurtas naujas kompiuterių darbinės atminties tipas HMC buvo pristatytas rugsėjį vykusiame „Intel“ plėtotojų forume. Spalio mėnesį „Micron“ ir „Samsung Electronics“ pranešė įsteigusios atvirąjį HMC konsorciumą šio tipo atminčiai plėtoti ir populiarinti.
Pasak konsorciumo atstovų, HMC panaikins techninius apribojimus, neleidžiančius kompiuteriams ir serveriams iki galo išnaudoti procesorių su daugeliu branduolių teikiamų skaičiavimo našumo galimyboų.
Skelbiama, kad dėl erdvinės HMC mikroschemų sandaros tokio tipo atmintis yra 15 kartų greitesnė už DDR3 atmintį, naudoja 70 proc. mažiau energijos ir užima 90 proc. mažiau vietos.
