IBM mokslininkai pristatė greičiausią iki šiol sukurtą tranzistorių, kurio pagrindas yra ne tranzistoriams įprastas silicis, o nanomedžiagos grafeno (angl. – graphene) paviršius.
Ekspertų nuomone, tai labai didelis postūmis „CERA“ (Carbon Electronics for RF Applications) programoje, kurios pagrindinis tikslas – kurti naują komunikacijos įrenginių kartą.
Grafenas yra dvimatė vieno atominio sluoksnio grafito forma. Didelio dėmesio ši nanomedžiaga sulaukė, kai IBM mokslininkai ištyrė jo unikalią savybę – dvi grafeno plokštės gali būti mažinamos iki vos kelių atomų storio ir nesubyrėti dėl tokiais atvejais kylančių trikdžių. Pagrindinis grafeno privalumas – labai didelis elektronų greitis. Ši grafeno savybė atvėrė galimybes kurti iki tol neregėtų greičių tranzistorius.
Pirmasis Grafeno tranzistorius buvo kuriamas IBM T.J.Waston tyrimų centre. Mokslininkų teigimu, naujų medžiagų naudojimas ir tranzistorių sumažinimas yra pagrindinė kryptis kuriant naujos kartos mikroprocesorius.
Taip pat pirmą kartą buvo nustatyta ir grafeno elektronų greičio priklausomybė nuo įrenginio dydžio. Pastebėta, kad mažėjant įrenginio matmenims, didėja veikimo dažnis. Mokslininkams pavyko pasiekti 26 GHz dažnį 150 nanometrų bazės tranzistoriui. Paprastai tranzistoriaus veikimo greitis yra skaičiuojamas atsižvelgianti į jo dydį ir elektronų judėjimo greitį.
Artimiausiu metu tyrėjai žada dar padidinti grafeno tranzistoriaus galingumą panaudodami dielektrines (nelaidininkes) medžiagas.
