Greta daugybės SSD atmintinių privalumų dažniausiai nepamirštamas paminėti ir trūkumas - lyginant su HDD visgi trumpokas tarnavimo laikas. Šią SSD savybę kritikuoja ne tik vartotojai, bet ir informacijos laikmenų rinkos dalyviai „Seagate“ bei „Fujitsu“.
Reikalus gali iš esmės pakeisti Japonijos Nacionalinio Pažangiojo industrijos mokslo instituto ir Tokijo Universiteto sukurta nauja technologija. Teigiama, kad pasitelkus ją SSD atmintinės galės be rūpesčių tarnauti daugiau nei šimtą metų. Be to, bus galima naudoti mažesnę įtampą, o tai pagerins energijos taupymą.
Dabar daugelis „flash“ atmintį naudojančių įrenginių gali pasigirti tik apie dešimtį metų siekiančiu tarnavimo laiku. Jį gali sutrumpinti intensyviai atmintį „drožiančios“ programos. Kad taip nenutiktų, naudojamos programinės priemonės, kurios paskirsto informacijos rašymą taip, kad tolyčiai būtų dėvimos visos atminties ląstelės.
Anksčiau manyta, kad „flash“ atminties gamybos procesą galima tobulinti iki 20 nm ribos, kuri ne taip jau ir toli - „Intel“ jau rengiasi imti naudoti 32 nm procesą. Tačiau Japonijos mokslininkai sukūrė naujas NAND flash atminties ląsteles, kurios gali būti dar mažesnės, o jų gamybą vyktų naudojant 10nm procesą.
Tyrėjai teigia, kad informaciją tokiose ląstelėse galima perrašyti daugiau nei 100 milijonų kartų. Daugelio dabartinių „flash“ atmintimi grįstų įrenginių ląstelių duomenis galima perrašyti iki 10 tūkst. sykių.
Drauge su pažangesniu technologiniu procesu naudojamas ir sumanus įrašymo valdymas, kuris tolydžiai paskirsto duomenis po atminties ląsteles. Jis taip pat randa jau netinkamas tarnystei ląsteles bei pažymi jas kaip nenaudotinas. Šių savybių ir 10nm technologinio proceso derinys ir turėtų lemti 100 metų tarnausiančių SSD atmintinių pasirodymą. Naujo tipo atmintyje panaudota ir kitų technologinių tai pasiekti leidžiančių gudrybių.
Beje, naujosios technologijos „flash“ atmintis naudoja iki trijų kartų mažiau energijos nei dabartinė - 6V vietoje 20.
Komercinis technologijos panaudojimas planuojamas per keletą artimiausių metų.
Paieška archyve
