„Toshiba Corporation“ pristatė dvi optimizuotas puslaidininkių paketų mikroelektromechaninėms sistemoms (angl. „micro electro-mechanical systems“, MEMS) technologijas, kurios leis žymiai sumažinti tokių įrenginių kainą. Pirmoji technologija apima hermetizaciją normaliame slėgyje, o antroji pasižymi tvirtesne struktūra, skirta vakuuminiam pakavimui. Šios technologijos gali būti naudojamos pagrindinių lustų (angl. „wafer“) ir kelių lustų (angl „multi-chip“) MEMS apvalkalo su 0,8 mm storio IC valdymu gamybai.
Savikainos mažinimas ir našumo didinimas yra pagrindinai MEMS tobulinimo planai. Vakuuminis pakavimas yra naudojamas didelio greičio reikalaujančiuose įrenginiuose, tokiuose kaip jungikliai, giroskopai, tačiau dar egzistuoja keletas problemų, pvz. pereinamieji procesai. Kur greitis nėra toks svarbus, pvz. mobiliuosiuose telefonuose, gali būti taikoma hermetizacija normaliomis sąlygomis.
Taikant hermetizaciją normaliomis atmosferos sąlygomis, hermetiška ertmė formuojama naudojant laikiną polimerinį sluoksnį su silicio oksido plėvele ir išėsdinama per silicio oksido plėvelėje suformuotas skylutes, kurios uždengiamos polimerų „stogu“. Ėsdinimo efektyvumą galima pakelti padidinus silicio oksido plėvelės skylutes, tačiau tai taip pat padidina ir tikimybę, jog polimerai pateks į hermetišką ertmę. Šiam trūkumui panaikinti, buvo apibrėžti skylučių išmatavimai ir forma. Skirtingai nei ankstesni šios technologijos pavyzdžiai, skirti MEMS lustams, kurie leido naudoti tik nelaidžias vandeniui medžiagas, „Toshiba“, taikydama cheminio garų nusodinimo (angl. „chemical vapor deposition“, CVD) metodą, pasiekė, kad jų technologija būtų atspari drėgmei.
Taikant vakuuminę hermetizaciją, padidintas slėgis gali sąlygoti lusto sugadinimą. Kad taip neatsitiktų, yra naudojama gofruota struktūra. Ėsdinimo metu taip pat yra naudojamos ne apvalios, o elipsės formos skylutės, kurios sumažina slėgį ir silicio oksido plėvelės sugadinimo riziką. Be to, viršuje yra dar vienas atsparumą slėgiui didinantis plastiko sluoksnis.
