Tranzistorių klasifikacija

Pagal funkcinę paskirtį radioelektroninių schemų tranzistoriai skirstomi į dvipolius (stiprinimo, impulsinius, mažatriukšmius, aukštos įtampos, fototranzistorius). Tranzistoriai skiriasi galia ir darbo dažnių diapazonais.

Pagal maksimalią kolektoriaus sklaidomąją galią skiriami mažos, vidutinės ir didelės galios tranzistoriai, pagal darbo dažnių diapazoną – žemojo, vidutinio, aukštojo ir superaukštojo dažnio tranzistoriai.

Šiuo metu galioja keturių elementų tranzistorių žymėjimo sistema. Pirmasis elementas – raidė arba skaitmuo, nurodantis puslaidininkio medžiagą (1 – germanis ir jo junginiai, 2 – silicis ir jo junginiai, 3 – galio junginiai); antrasis elementas – raidė nurodanti prietaiso klasę (T – dvipoliai tranzistoriai, P – lauko tranzistoriai); trečiasis elementas – skaičius, nurodantis tranzistoriaus paskirtį, kokybines savybes ir konstrukcijos eilės numerį pagal 1 lentelę; ketvirtasis elementas – raidė, nurodanti parametrinę grupę.

1 lentelė:

Tranzistorių darbo dažniai MHz

Trečiasis tranzistorių žymens elementas, kai kolektoriaus sklaidomoji galia W

maža (iki 0,3)

vidutinė (nuo 0,3 iki 1,5)

Didelė (didesnė kaip 1,5)

Žemieji (iki 3)

101 – 199

401 – 499

701 – 799

Vidutiniai (nuo 3 iki 30)

201 –299

501 – 599

801 – 899

Aukštieji (nuo 30 iki 300)

301 -399

601 – 699

901 – 999

Tranzistoriai,pagaminti prieš kelis dešimtmečius, būdavo pažymėti trimis elementais. Pirmasis elementas – raidė, reiškianti tranzistorių, antrasis elementas – skaičius, nurodantis paskirtį ir kokybines savybes bei konstrukcijos eilės numerį pagal 2 lentelę, trečias elementas – raidė, nurodanti parametrinę grupę.

2 lentelė:

Darbo dažniai MHz

Antrasis žymens elementas, kai sklaidomoji galia W

Germanio tranzistoriai

Silicio tranzistoriai

Iki 0,25 (maža)

Didesnė kaip 0,25 (didelė)

Iki 0,25 (maža)

Didesnė kaip 0,25 (didelė)

Žemieji (iki 5)

1 – 99

201 – 299

101 – 199

301 – 399

Aukštieji (daugiau kaip 5)

401 – 499

601 – 699

501 – 599

701 – 799

Tranzistorius montuojant, būtina laikytis tam tikrų taisyklių.

Tvirtinimui galima naudoti tik tranzistorių korpusą. Lankstūs išvadai gali būti užlenkiami ne arčiau kaip 10 mm nuo išvado izoliatoriaus (jei nėra kitų nurodymų), galingų tranzistorių standžių išvadų lankstyti negalima.

Išvadų litavimo vieta turi būti ne arčiau kaip 10 mm nuo tranzistoriaus korpuso. Lituojama ne didesnės kaip 60 W galios lituokliu, litavimo trukmė turi būti ne didesnė kaip 3s, o temperatūra – ne aukštesnė kaip 200 laipsnių. Litavimo metu tranzistoriumi neturi tekėti srovė, turi būti patikimai nuvedama lituojamo išvado šiluma.

Tranzistorių negalima montuoti arti šilumą išskiriančių elementų (tinklo transformatorių, galingų rezistorių) bei stipraus elektromagnetinio lauko veikimo zonoje.

Tranzistoriai turi būti eksploatuojami pagal žemiau pateiktas taisykles.

Išorinio maitinimo šaltinio, jungiamo prie tranzistoriaus elektrodų, poliškumas parenkamas atsižvelgiant į tranzistoriaus struktūrą ir darbo schemą. Kai tranzistorius jungiamas į schemą prijungtą prie maitinimo šaltinio, pirmiausia jungiamas bazės elektrodas, o vėliau – kolektoriaus. Atjungti tranzistorių reikia atvirkščia tvarka. Draudžiama įjungti maitinimo įtampą, kol neprijungtas bazės elektrodas.

Tranzistorius dirbs patikimiau ir ilgiau, jeigu darbo įtampos, srovės, galios ir temperatūra bus mažesnės negu maksimalios leistinos (maždaug 0,7 leistinosios reikšmės). Neleidžiama naudoti tranzistorių schemose, kuriose bent dviejų parametrų reikšmės yra maksimalios leistinosios.

Apsaugai nuo antiįtampių tranzistorinėse schemose naudojami stabilizavimo, slopinimo ir ribojimo diodai.

Scemų su puslaidininkiniais prietaisais negalima tikrinti ommetrais ir kitais prietaisais, galinčiais perkrauti diodus ir tranzistorius. 

Pnp struktūros germanio lydytiniai tranzistoriai MP39Б, MP40A, MP41A gaminami su metaliniais korpusais, turinčiais lanksčius išvadus bei stiklinius izoliatorius, ir skirti žemojo dažnio stiprinimo schemoms. Šių tranzistorių masė – 2,5g, darbo temperatūrų diapazonas yra nuo –60 iki +75 °C, elektriniai parametrai nurodyti 3 lentelėje.

3 lentelė

Parametrai

Tranzistorių tipai

МП39Б

МП40А

МП41А

Ribinis dažnis MHz, kai Ie=1 mA ir Ukb=5V

0.5

1

1

Srovės perdavimo koeficientas, kai Ukb=5V, Ie=1 mA, f=1kHz ir temperatūra °C:

     

20

20-60

20-40

50-100

60

20-80

20-120

50-300

-40

10-60

10-40

25-100

Pramušimo įtampa Ukb V, kai f=50Hz

15

30

15

Maksimalios leistinos įtampos Uke,max ir Ukb,max V esant 40 °C temperatūrai:

 

nuolatinės

15

30

15

impulsinės

20

30

20

Triukšmo koeficientas dB, kai Ie=0.5mA, Ukb=1.5V ir f=1kHz

12

–

–

Atgalinė kolektoriaus srovė mA, kai Ukb=5V ir temperatūra °C:

 

20

15

70

300

Atgalinė emiterio srovė mA, kai Ueb=5V

30

Maksimali leistinoji nuolatinė kolektoriaus srovė mA

20

Kolektoriaus talpa pF, kai Ukb=5V ir f=500kHz

60

Maksimali leistinoji impulsinė kolektoriaus srovė mA, kai Ie.vid£40mA

150

Išėjimo laidumas mS, kai Ie=1mA, Ukb=5V ir f=1kHz

3.3

Bazės varža W, kai Ie=1mA, Ukb=5V ir f=500kHz

220

Maksimali kolektoriaus sklaidoma galia mW, kai temperatūra °C:

 

55

150

70

75

Atgalinė įtampa Ueb V

5

         

Pnp struktūros silicio tranzistoriai MP114, MP115, MP116 gaminami su metaliniais korpusais, turinčiais stiklinius izoliatorius ir lanksčius išvadus.Jų darbo temperatūrų diapazonas yra nuo –55 iki +100°C, masė – 1,7g, elektriniai parametrai nurodyti 4 lentelėje.

4 lentelė:

Parametrai

Tranzistorių tipas

МП114

МП115

МП116

Ribinis dažnis kHz, kai Ukb=5V ir Ie=1mA

100

100

500

Srovės perdavimo koeficientas BE schemoje, kai Uke=5V, Ie=1mA, f=1kHz

9

9-45

15-100

Pramušimo įtampa Ukb V, kai f=50Hz

70

40

20

Maksimalios leistinos įtampos Ukb.max ir Uke.max V, kai temperatūra 70°C

60

30

15

Maksimali leistinoji atgalinė įtampa Ueb V, kai temperatūra nuo –50 iki +100°C

10

10

10

Atgalinė kolektoriaus srovė mA, kai Uk=30V ir temperatūra 20 ir 100°C

10 ir 400

Atgalinė emiterio srovė mA, kai Ueb=10V ir temperatūra 20 ir 100°C

10 ir 200

Įėjimo varža W BB schemoje, kai Ukb=50V, Ie=1mA, f=1kHz

300

Maksimali leistinoji kolektoriaus sklaidoma galia mW, kai temperatūra 70°C

150

         

. Pnp struktūros tranzistoriai KT203 (A, Б, B)skirti iki 5 MHz dažnio virpesiams stiprinti ir generuoti bei darbui komutatorių ir stabilizatorių schemose. Jie gaminami su metaliniais korpusais, turinčiais lanksčius išvadus. Šių tranzistorių darbo temperatūrų diapazonas yra nuo –60 iki +125 °C, masė-0.5g, elektriniai parametrai nurodyti 5 lentelėje.

5 lentelė:

Parametrai

Tranzistorių tipai

KT203A

KT203Б

KT203B

Ribinis dažnis BB schemoje MHz

5

5

5

Silpnų signalų rėžimo srovės perdavimo koeficientas, kai Uk=5V, Ie=1mA

9

30-100

30-200

Maksimali leistinoji įtampa Uke.max V, kai temperatūra °C:

     

Nuo –55 iki +75

60

30

15

125

30

15

10

Maksimali leistinoji atgalinė įtampa Ueb.max V

30

15

10

Įėjimo varža W BB schemoje kai duota Ukb*

300

300

300

Atgalinė kolektoriaus srovė mA, esant maksimaliai leistinajai atgalinei įtampai ir temperatūrai 25 ir 125°C

1 ir 15

Atgalinė emiterio srovė mA, kai Ueb=30V

10

Kolektoriaus sandūros talpa pF, kai Ukb=5V ir f=10MHz

10

Maksimali leistinoji kolektoriaus srovė mA:

 

Nuolatinė

10

Impulsinė

50

Impulsinio rėžimo vidutinė emiterio srovė mA

10

Maksimali leistinoji kolektoriaus sklaidoma galia mW, kai temperatūra ne aukštesnė kaip 70°C

150

         

*Tranzistorių KT203, A, Б, B įtampa Ukb atitinkamai lygi 50, 30 ir 15 V.

 Pnp struktūros konversiniai tranzistoriai ГT321 (A-E) gaminami su metaliniais korpusais, turinčiais lanksčius išvadus. Šių tranzistorių darbo temperatūrų diapazonas yra nuo –55 iki +60°C, masė –2g, elektriniai parametrai nurodyti 6 lentelėje.

6 lentelė

Parametrai

Tranzistorių tipai

ГТ321А

ГТ321Б

ГТ321В

ГТ321Г

ГТ321E

ГТ321Д

Statinis srovės perdavimo koeficientas, kai Ukb=5V ir Ik=500mA

20-60

40-120

80-200

20-60

40-120

80-200

Srovės perdavimo koeficiento modulis, kai Ie=15mA, Uk=10V ir f=20MHz

3

3

3

3

3

3

Sandūros talpa pF:

           

Kolektorinės, kai Uke=10V ir f=5MHz

80

80

80

80

80

80

Emiterinės, kai Ueb=0.5V

600

600

600

600

600

600

Grįžtamojo ryšio grandinės laiko konstanta ps, kai Uk=10V, Ie=15mA ir f=5MHz

600

600

600

600

600

600

Kolektoriaus įtampa V, kuriai esant keičiasi bazės srovės fazė, kai Ie=700mA ir t<45°C

40

40

40

30

30

30

Atgalinė kolektoriaus srovė mA, kai Uk=30V, Tk=20°C

100

Pradinė kolektoriaus srovė mA, kai Rb=100W ir įtampa Uke lygi leistinajai

0.8

Soties rėžimo įtampos V:

 

Uke, kai Ik=700mA

2.5

Ube, kai Ik=700mA*

1.3

Maksimali leistinoji impulsinė kolektoriaus srovė A, kai ti=30ms ir T=45°C

2

Maksimali leistinoji bazės srovė mA

30

Maksimali leistinoji impulsinė bazės srovė mA, kai ti=30ms

500

Maksimali leistinoji kolektoriaus sklaidoma galia mW, kai Tk<45°C

160

Maksimali leistinoji impulsinė kolektoriaus grandinės galia W, kai Tk<45°C

20

               

*Kai tranzistorių ГT321A ir ГT321Г bazės srovė –140 mA, ГT321Б ir ГT321Д–70 mA, ГT321B, ГT321E –35 mA

Pnp struktūros tranzistoriai ГT322 (A, Б, B) naudojami imtuvų aukštojo dažnio stiprintuvuose ir yra gaminami su metaliniais korpusais, turinčiais lanksčius išvadus. ГT322 tipo tranzistorių darbo diapazonas yra nuo –40 iki +55°C, masė –0.6g. tranzistorių korpusas sujungtas su ketvirtuoju išvadu Korp ir gali būti panaudojamas ekranavimui. Elektriniai tranzistorių parametrai duoti 7 lentelėje:

7 lentelė

Parametrai

Tranzistorių tipai

ГТ322A

ГТ322Б

ГТ322B

Statinis srovės perdavimo koeficientas

30-100

50-120

20-120

Srovės perdavimo koeficiento modulis, kai f=20MHz

4

4

2.5

Kolektoriaus talpa pF, kai Ukb=5V ir f=10MHz

1.8

1.8

2.5

Grįžtamojo ryšio grandinės laiko konstanta ps, kai f=5MHz

50

100

200

Atgalinė kolektoriaus srovė mA, kai Ukb=10V ir temperatūra °C:

 

20

4

55

100

Įėjimo varža* W BB schemoje, dažnių diapazone nuo 50 iki 1000Hz

34

Išėjimo laidumas* mS BB schemoje, dažnių diapazone nuo 50 iki 1000Hz

1

Triukšmo koeficientas* dB, kai f=1.6 MHz

4

Šiluminė varža °C/mW

0.7

Maksimali leistinoji kolektoriaus srovė mA

10

Maksimali leistinoji įtampa Ukb.maxV

25

Maksimali leistinoji įtampa Ukb.maxV, kai Rb>10kW

10

Maksimali kolektoriaus sklaidoma galia mW, kai Tb<25°C

50

         

*Kai Ukb=5V ir Ie=1 mA

Npn struktūros tranzistoriai ГT323 (A, Б, B) gaminami su metaliniais korpusais, turinčiais lanksčius išvadus. Jų darbo temperatūrų diapazonas yra nuo –55 iki +60°C, masė –2g, elektriniai parametrai nurodyti 8 lentelėje.

8 lentelė

Parametrai

Tranzistorių tipai

ГT323A

ГT323Б

ГT323B

Statinis srovės stiprinimo koeficientas ,kai Ik=0.5A ir Ukb=5V

20-60

40-120

80-200

Išsiurbimo trukmė ns, kai Ik=1A ir bazės srovė*

100

100

150

Talpa pf:

 

kolektoriaus, kai Ukb=15V ir f=5MHz

30

emiterio, kai Ueb=0.25V ir f=5MHz

100

Grįžtamojo ryšio grandinės laiko konstanta ps, kai Uk=10V, Ie=10mA ir f=10MHz

300

Atgalinė srovė mA:

 

kolektoriaus, kai Ueb=2V

30

emiterio, kai Ueb=2V

100

Kolektoriaus įtampa V kuriai esant bazės srovė keičia fazę, kai Ie=100mA

10

Soties rėžimo įtampa V:

 

Uke, kai Ik=1A ir Ib=100mA

2,5

Ube, kai Ik=1A ir Ib=100mA

3

Maksimali leistinoji impulsinė kolektoriaus srovė A

1

Maksimali leistinoji įtampa Ukb.max V

20

Maksimali leistinoji įtampa Uke.max V, kai Rb=1kW

20

Maksimali leistinoji įtampa Ueb.max V

2

Įtampa Uke V kai tranzistorius uždarytas, o Ube =0,25/2V

20

Maksimali leistinoji kolektoriaus sklaidoma galia** mW, kai tranzistorius naudojamas su radiatoriumi temperatūrų intervale nuo –50 iki +50°C

500

Maksimali leistinoji impulsinė galia W, kai tI=0,5 ms

5

         

* ГT321A – 100 mA, ГT323Б –50 mA, ГT323B – 23 mA

** Kai korpuso temperatūra Tk =50/60 °C, sklaidomoji galia randama pagal formulę Pk.max =10(100 – Tk) mW

Npn struktūros planariniai tranzistoriai KT312 (A, Б, B) gaminami su metaliniais korpusais, turinčiais lanksčius išvadus. Šių tranzistorių darbo temperatūrų diapazonas nuo –40 iki +85°C, masė –1g, elektriniai parametrai –9 lentelė.

9 lentelė

Parametrai

Tranzistorių tipai

KT321A

KT321Б

KT321B

Statinis srovės perdavimo koeficientas, kai Ik=20mA, Uk=2V

10-100

25-100

50-280

Srovės perdavimo koeficiento modulis, kai Ie=5mA, Uk=10V ir f=20MHz

4

6

6

Maksimali leistinoji įtampa V:

     

Ukb.max

20

35

20

Uke.max kai tarp bazės ir emiterio įjungtas 100kW varžos rezistorius

20

35

20

Grįžtamojo ryšio grandinės laiko konstanta ps, kai Ie=5mA, Uk=10V ir f=5MHz

500

Talpa pF:

 

kolektoriaus, kai Ukb=10V ir f=10MHz

5

emiterio kai Ueb=1V ir f=10MHz

20

Atgalinė kolektoriaus srovė mA, kai Ukb=15V (KT321Air KT321Б) ir Ukb=30V (KT321Б)

10

Atgalinė emiterio srovė mA, kai Ueb=4V

10

Soties rėžimo įtampa V:

 

Uke, kai Ib=2mA ir Ik=20mA

0.8

Ube, kai Ib=2mA ir Ik=20mA

1,1

Maksimali leistinoji nuolatinė kolektoriaus srovė mA

30

Maksimali leistinoji impulsinė kolektoriaus srovė mA

60

Maksimali leistinoji įtampa Ueb, max V

4

Maksimali leistinoji kolektoriaus sklaidoma galia mW, kai Tk£60°C

225

Maksimali leistinoji impulsinė galia mW, kai tI£1ms

450

         

Npn struktūros tranzistoriai KT315 (A-E) gaminami su plastmasiniais korpusais. Jų darbo temperatūrų diapazonas yra nuo –55 iki +100°C, masė –0.18g, o elektriniai parametrai –10 lentelėje.

10 lentelė

Parametrai

Tranzistorių tipai

KT315A

KT315Б

KT315В

KT315Г

KT315Д

KT315E

Statinis srovės perdavimo koeficientas, kai Uk=10V ir Ie=1mA

20-90

50-350

20-90

50-350

20-90

50-350

Srovės perdavimo koeficiento modulis, kai Uk=10V, Ie=5mA ir f=100MHz

2,5

2,5

2,5

2,5

2,5

2,5

Grįžtamojo ryšio grandinės laiko konstanta ps, kai Uk=10V ir Ie=5mA

500

500

500

500

1000

1000

Įtampa Uke V, kai Rbe=10kW

20

15

30

25

–

–

Soties rėžimo įtampa V, kai Ik=20mA ir Ib=2mA:

 

Uke

0,4

0,4

0,4

0,4

0,1

0,1

Ube

0,1

0,1

0,1

0,1

1,5

1,5

Kolektoriaus įtampa V, kuriai esant bazės srovė keičia fazę, kai Ie=5mA

15

15

30

25

30

25

Atgalinė srovė mA:

 

Kolektoriaus, kai Ukb=10V

1

Emiterio, kai Ueb=5V

30

Maksimali leistinoji kolektoriaus srovė mA

100

Bendra šiluminė varža °C/mW

0,67

Kolektoriaus talpa pF, kai Ub=10V

7

Maksimali leistinoji kolektoriaus sklaidomoji galia mW

150

                         

Pnp struktūros tranzistoriai KT347 (A, Б, B) gaminami su metaliniais korpusais. Jie dirba temperatūrų intervale -40–+85°C, jų masė -0.5g, elektriniai parametrai nurodyti 11 lentelėje.

11 lentelė

Parametrai

Tranzistorių tipai

KT347A

KT347Б

KT347B

Maksimali leistinoji įtampa Uke, max V, kai Rb£ 10kW

15

9

6

Maksimali leistinoji įtampa Ukb,max V

15

9

6

Išsiurbimo trukmė ns, kai Ib1= Ib2=1mA, Ik=10mA

25

25

40

Srovės perdavimo koeficiento modulis, kai f=100MHz, Uk=5V, Ie=10mA

5

Atgalinė srovė mA:

 

kolektoriaus, kai Ukb lygi maksimaliai leistinajai

1

emiterio, kai Ueb=4V

10

Pradinė kolektoriaus srovė mA, kai Rb=10kW, Uke lygi maksimaliai leistinajai

5

Soties rėžimo įtampa Uke V, kai Ik=10mA ir Ib=1mA

0,3

Emiterio talpa pF, kai f=10 MHz, Ueb=0

8

Maksimali leistinoji įtampa Ueb,max V

4

Maksimali leistinoji nuolatinė kolektoriaus srovė mA

50

Maksimali leistinoji impulsinė kolektoriaus srovė mA

110

Maksimali leistinoji kolektoriaus sklaidoma galia mW, kai Ta£°C

150

Šiluminė varža °C/mW

0,5

Pnp struktūros tranzistoriai KT349 (A, Б, B) gaminami su metaliniais korpusais turinčiais laisvus išvadus. Jų darbo temperatūrų diapazonas yra nuo –40 iki+85°C. Žemiau nurodyti šių tranzistorių elektriniai parametrai.

Parametrai

Tranzistorių tipai

KT349A

KT349Б

KT349B

Statinis srovės perdavimo koeficientas, kai Uk=1V ir Ie=10Ma

20-80

40-160

120-300

Stov4s perdavimo koeficiento modulis, kai f=100MHz ir Ie=10mA

3

Ribinis dažnis MHz

300

Atgalinė srovė mA:

 

kolektoriaus, kai Ukb=10V

1

emiterio, kai Ueb=4V

1

Pradinė kolektoriaus srovė mA, kai Uke=4V, Rb£20kW

1.5

Soties rėžimo įtampa V, kai Ik=10mA ir Ib=1mA:

 

Uke

0.3

Ube

1.2

Sandūros talpa pF:

 

kolektorinės, kai Ukb=5V ir f=10MHz

6

emiterinės, kai Ueb=0V ir f=10MHz

8

Maksimali leistinoji įtampa Ukb,max V

20

Maksimali leistinoji įtampa Ueb,max V

4

Maksimali leistinoji įtampa Uke,max V, kai Rb£10kW

15

Maksimali kolektoriaus sklaidoma galia* mW, kai To=-40–+30°C

200

         

*Kai aplinkos temperatūra aukštesnė kaip 30°C, Pk,max=(150-To)/0.6mW

Pnp struktūros tranzistoriai KT350A gaminami su metaliniais korpusais, turinčiais lanksčius išvadus. Jie gali veikti temperatūrų intervale nuo –40 iki +85°C, jų masė-0.5g. Žemiau nurodyti šių tranzistorių parametrai.

Statinis srovės perdavimo koeficientas, kai Uk=1V ir Ie=500mA

20-200

Srovės perdavimo koeficiento modulis, kai f=20MHz, Ub=5V ir Ie=10mA

5

Talpa pF:

 

kolektoriaus , kai Ukb=5V ir f=5/10MHz

70

emiterio, kai Ueb=1V ir f=5/10MHz

100

Soties rėžimo įtampa V, kai Ik=50mA ir Ib=50mA:

 

Uke

0.5

Ube

1.25

Atgalinė srovė mA:

 

kolektoriaus, kai Ukb=10V

1

emiterio, kai Ueb=4V

10

Maksimali leistinoji impulsinė kolektoriaus srovė mA, kai tI£1ms

600

Maksimali leistinoji įtampa Uke, max V, kai Rb£10kW

15

Maksimali leistinoji įtampa Ukb,max V

20

Maksimali leistinoji įtampa Ueb,max V

4

Kolektoriaus sklaidoma galia * mW, esant temperatūrai nuo –40 iki +30°

200

*Kai aplinkos temperatūra aukštesnė kaip 30°C, Pk,max=(150-To)/0.6mW

Pnp struktūros tranzistoriai KT351 (A, Б) gaminami su metaliniais korpusais, turinčiais lanksčius išvadus. Jų darbo temperatūrų diapazonas yra nuo –40 iki +85°C, masė-0.5g. Žemiau nurodyti šių tranzistorių elektriniai parametrai.

Parametrai

Tranzistorių tipai

KT351A

KT351Б

Statinis srovės perdavimo koeficientas, kai Uk=1V ir Ie=300mA

20-80

50-200

Srovės perdavimo koeficiento modulis, kai f=100MHz, Uk=5V ir Ie=10mA

2

Talpa pF, kai f=5/10MHz:

 

Kolektoriaus, kai Ukb=5V

15

Emiterio Ueb=1V

30

Soties rėžimo įtampa V, kai Ik=400mA ir Ib=50mA:

 

Uke

0.6

Ube

1.1

Atgalinė srovė mA:

 

kolektoriaus, kai Ukb=10V

1

emiterio, kai Ueb=4V

10

Maksimali leistinoji įtampa Uke,max V, kai Rb£10kW

15

Maksimali leistinoji įtampa Ukb,max V

20

Maksimali leistinoji impulsinė kolektoriaus srovė, kai ti=4ms

400

Maksimali leistinoji įtampa Ueb,max V

4

Maksimali leistinoji kolektoriaus sklaidoma galia* mW, kai aplinkos temperatūra nuo –40 iki +30°C

200

       

*Kai aplinkos temperatūra aukštesnė kaip 30°C, Pk,max=(150-To)/0.6mW

Pnp struktūros tranzistoriai KT373 (А – Г) gaminami su plastmasiniais korpusais. Jų darbo temperatūrų diapazonas yra nuo –40 iki +85 °C, masė – 0,1 g, elektriniai parametrai nurodyti 12 lentelėje.

12 lentelė

Parametrai

Tranzistorių tipai

KT373A

KT373Б

KT373B

KT373Г

Statinis srovės perdavimo koeficientas, kai Uk=5V ir Ie=1mA

100-250

200-600

500-1000

50-125

Srovės perdavimo koeficiento modulis, kai Ie=5mA ir f=100MHz

3

3

3

3

Kolektoriaus talpa pF, kai Ukb=5V

8

8

8

8

Maksimali leistinoji įtampa Ukb,max V

30

25

10

60

Įtampa Uke V, kuriai esant bazės srovė keičia fazę, kai Ie=5mA

25

20

10

25

Maksimali leistinoji įtampa Ueb.max V

5

Atgalinė srovė mA:

 

Kolektoriaus, kai Ukb 25 =V

0,05

Emiterio, kai Ueb 5 =V

30

Maksimali leistinoji kolektoriaus srovė mA:

 

Nuolatinė

50

Impulsinė

200

Ribinis dažnis MHz

300

Maksimali leistinoji kolektoriaus sklaidoma galia mW

150

           

Pnp struktūros tranzistoriai ГТ328 (А, Б, В) naudojami metrinių bangų diapazono radijo ir televizijos imtuvų ASR ir gaminami su metaliniais korpusais, turinčiais lanksčius išvadus. Jų darbo temperatūrų diapazonas nuo 40 iki +55 °C, masė – 2 g, elektriniai parametrai nurodyti 13 lent.

13 lentelė

Parametrai

Tranzistorių tipai

ГТ328А

ГТ328Б

ГТ328В

Statinės srovės perdavimo koeficientas

20 – 200

40 – 200

10 – 50

Ribinis dažnis MHz

400

300

300

Grįžtamojo ryšio  grandinės laiko konstanta ps, kai Ukb = 10 V ir Ie = 2 mA

5

10

10

Atgalinė kolektoriaus srovė mA, kai Ukb = 15 V

10

Ueb, kai nutraukta

kolektoriaus  grandinė

0,2

Maksimali leistinoji kolektoriaus srovė mA

10

Kolektoriaus talpa pF, kai Ukb = 5 V

1,5

Pramušimo įtampa V:

Ukb

15

Maksimali leistinoji kolektoriaus sklaidoma galia mW, kai temperatūra yra 55°C

4,5

Npn struktūros tranzistoriai ГТ329 (А - Г) gaminami su metaliniais hermetiškais korpusais, turinčiais juostiškus išvadus. Jų darbo temperatūrų diapazonas –50  +60 °C, masė 2 g, elektriniai parametrai nurodyti 14 lent.

14 lentelė

Parametrai

Tranzistorių tipai

ГТ329А

ГТ329Б

ГТ329В

ГТ329Г

Statinis srovės perdavimo koeficientas, kai Uk=5 mA ir Ie=5 mA

15 - 300

15 - 300

15 - 300

15 – 30

Srovės perdavimo koeficiento modulis, kai Uk=5 V, Ie=5 mA ir f=300 MHz

4,6

5,6

3,3

2,3

Talpa pF:

       

kolektoriaus, kai Ukb=5V ir f=30MHz

2

3

3

2

emiterio, kai Ub=0,5 V ir  f=30 MHz

3,5

3,5

3,5

3,5

Atgalinė srovė mA:

       

Kolektoriaus, kai Ukb=10 V

5

5

5

5

Emiterio, kai Ueb=0,5 V

100

100

100

100

Grįžtamojo ryšio grandinės laiko konstanta ps, kai Uk=5 V, Ie=5 mA ir f=30 MHz

15

20

20

15

Maksimali leistinoji įtampa Ueb.max V, kai aplinkos temperatūra yra 60 °C ir Ie.atg=100 mA

0,5

0,5

1

0,5

Maksimali leistinoji įtampa Ukb.max V

10

10

10

10

Maksimali leistinoji įtampa Uke.max V, kai Rb<= 1 kW

5

5

5

5

Triukšmo koeficientas dB, kai Uk=5 V, Ie=3 mA ir f=400 MHz

4

6

6

5

Maksimali leistinoji kolekrtoriaus sklaidoma galia* mW

50

50

50

50

*Kai temperatūa yra nuo 40 iki 60 °C, Pk×max = (80 – Ta) / 0,8 mW.

Pnp struktūros tranzistoriai ГТ346 (А, Б) naudojami decimetrinių bangų diapazono televizijos kanalų selektoriuose su ASR sistema ir yra gaminami su metaliniais korpusais, turinčiais lanksčius išvadus. šių tranzistorių darbo temperatūrų diapazonas –40 iki +55 °C, masė  - 1 g, elektriniai parametrai nurodyti 15 lentelė.

15 lentelė

Parametrai

Tranzistorių tipai

ГТ346А

ГТ346Б

Statinis bazės srovės perdavimo koeficientas, kai Uk=10 V ir Ie= 2 mA

10

10

Srovės perdavimo koeficiento modulis, kai f =100 MHz ir Ie=2 mA

7

5,5

Kolektoriaus talpa pF, kai Ukb =5 V ir f =10 MHz

1,3

1,3

Atgalinė srovė mA:

   

kolektoriaus, kai Ukb =15 V

10

10

emiterio, kai Ueb =0,3 V

100

100

Grįžtamojo ryšio grandinės laiko konstanta ps, kai Uk =10 V ir Ie =2 mA

3

5,5

Maksimali leistinoji įtampa Uke.max V, kai Rb =5 kW

15

15

Maksimali leistinoji įtampa Ukb.max V

15

15

Maksimali leistinoji įtampa Ueb V

0,3

0,3

Triukšmo koeficientas, kai Ie =2 mA ir f =800 MHz

8

¾

Ribinis dažnis MHz

700

550

Maksimali leistinoji kolektoriaus srovė mA

10

10

Maksimali leistinoji kolektoriaus sklaidoma galia mW

40

40

Npn struktūros tranzistoriai KT325 (A, Б, В) gaminami su metaliniais korpusais, jų masė – 2,2 g. Darbo temperatūrų diapazonas yra nuo –60 iki +125 °C. žemiau nurodyti šių tranzistorių elektriniai parametrai.

 

KT325A

KT325Б

KT325В

Statinis srovės perdavimo koeficientas, kai Uk =5 V ir Ie =10 mA

30 - 90

70 – 210

160-400

Srovės perdavimo koeficiento modulis, kai Uk =5 V, Ie =10 mA ir f =100 MHz

8

6

8

Talpa pF, kai f =10 MHz:

 

kolektoriaus, kai Ukb=5 V

2,5

emiterio, kai Ueb=0 V

2,5

Atgalinė srovė mA:

 

kolektoriaus, kai Ukb=15 V

0,5

emiterio, kai Ueb=4 V

1

Maksimali leistinoji kolektoriaus srovė mA

60

Grįžtamojo ryšio grandinės laiko konstanta ps, kai Uk=5 V, Ie=10 mA ir f=100 MHz

125

Maksimali leistinoji įtampa Ueb.max V, kai Rb <= 3 kW

15

įtampa Uk V, kuriai esant bazės srovė keičia fazę, kai Ie =1 mA

15

Pramušimo įtampa V:

 

Ukb, kai atjungtas emiteris

15

Ueb, kai atjungtas kolektorius

4

Maksimali leistinoji kolekrtoriaus sklaidoma galia mW, kai temperatūra °C:

 

60

225

125

75

Pnp struktūros tranzistoriai KT326 (A, Б) gaminami su metaliniais korpusais, turinčiais išvadus. Šių tranzistorių darbo temperatūrų diapazonas ura nuo –60 iki +125 °C, masė – 1 g. žemiau nurodyti jų elektriniai parametrai.

Statinis srovės perdavimo koeficientas, kai Uk =2 V, Ie =10 mA:

 

KT326A

20 – 70

KT326Б

45 – 160

Talpa pF:

 

kolektoriaus, kai Ukb =5 V ir f =10 MHz

5

emiterio, kai Ueb =0 V ir f =10 MHz

4

Atgalinė srovė mA:

 

kolektoriaus, kai Ukb =20 V

0,5

emiterio, kai Ueb =4 V

0,1

Grįžtamojo ryšio grandinės laiko konstanta ps, kai Uk =5 V, Ie =10 V ir f =5 MHz

450

Maksimali leistinoji įtampa V:

 

Ukb.max, kai atjungtas emiteris

20

Ueb.max, kai atjungtas kolektorius

4

Soties režimo įtampa V, kai Ik =10 mA, Ib =1 mA:

 

Uke

0,3

Ueb

1,2

Ribinis dažnis MHz, kai Uk =5 V ir Ie =10 mA

400

Maksimali leistinoji kolektoriaus srovė mA

50

Maksimali leistinoji kolektoriaus sklaidoma galia * mW, kai temperatūra 30 °C

200

*kai aplinkos temperatūra aukštesnė kaip 30 °C, Pk×max (150 – Ta) / 0,6 mW.

Pnp struktūros tranzistoriai KT337 (A, Б, В) gaminami su metaliniais korpusais, turinčiais lanksčius išvadus. Šių tranzistorių darbo temperatūrų diapazonas yra nuo –40 iki +85 °C, masė – 0,5g, elektriniai parametrai nurodyti 16 lentelėje.

16 lentelė

Parametrai

Tranzistorių tipai

KT3337A

KT337Б

KT337В

Statinis srovės perdavimo koeficientas, kai Uk =0,3 V ir Ie =10 mA

30 - 70

50 – 75

70 – 120

Srovės perdavimo koeficiento modulis, kai f =100 MHz, Uk =5 V ir Ie =10 mA

5

6

6

Talpa pF, kai dažnis 10 MHz:

     

kolektoriaus, kai Ukb =5 V

6

6

6

emiterio, kai Ueb =0 V

8

8

8

Išsiurbimo trukmė ns, kai Ib1 =Ib2 =1 mA, Ik =10 mA

25

28

28

Atgalinė srovė mA:

     

kolektoriaus, kai Ukb =6 V

1

1

1

emiterio, kai Ueb =4 V

5

5

5

Soties režimo įtampa V, kai Ik =10 mA ir Ib =1 mA:

 

Uke

0,2

Ueb

1

Maksimali leistinoji įtampa Ukb.max V

6

Maksimali leistinoji įtampa Ueb.max V

4

Maksimali leistinoji įtampa Uke.max V, kai Rb <= 10 kW

6

Pradinė kolektoriaus srovė mA, kai Rb <= 10 k W

5

Maksimali leistinoji kolektoriaus srovė mA

30

Maksimali leistinoji kolektoriaus sklaidoma galia * mW

150

Maksimali sandūros temperatūra °C

150

*kai aplinkos temperatūra yra aukštesnė kaip 30 °C, Pk×max = (150 – Ta) / 0,6 mW.

Npn struktūros tranzistoriai KT339 (A – Д) naudojami I ir II klasės televizinių imtuvų tarpinio dažnio stiprintuvų išėjimo pakopose ir yra gaminami su metaliniais korpusais, turinčiais lanksčius išvadus. Šių tranzistorių darbo temperatūrų diapazonas yra nuo –40 iki +85 °C, masė - 1 g, elektriniai parametrai nurodyti 17 lentelėje.

17 lentelė

Parametrai

Tranzistorių tipai

KT339A

KT339Б

KT339В

KT339Г

KT339Д

Statinis srovės perdavimo koeficientas, kai Ie =7 mA ir Uk =10 V

25

15

25

40

15

Kolektoriaus talpa pF

2

2

2

2

2

Atgalinė kolektoriaus srovė mA, kai Ukb =40 V (KT 339Б–25 V)

1

1

1

1

1

Grįžtamojo ryšio grandinės laiko konstanta ps, kai f =5 MHz

25

25

50

100

150

Maksimali leistinoji įtampa V:

 

Uke.max

25

12

25

25

25

Ukb.max

40

25

40

40

40

Ueb.max

4

4

4

4

4

Ribinis dažnis MHz

300

250

450

250

250

Maksimali leistinoji kolektoriaus srovė mA, kai temperatūra žemesnė kaip 70°C

25

Maksimali leistinoji kolektoriaus sklaidoma galia * mW

250

Maksimali sandūros temperatūra °C

120

*kylant temperatūrai nuo 55 iki 70 °C, maksimali leistinoji galia tiesiškai mažėja iki 100 mW.

Npn struktūros tranzistoriai KT342 (A – Г) gaminami su metaliniais korpusais, turinčiais lanksčius išvadus. Šių tranzistorių darbo temperatūrų diapazonas yra nuo –60 iki +125 °C, masė – 0,5 g, elektriniai parametrai nurodyti 18 lentelėje.

18 lentelė

Parametrai

Tranzistorių tipai

KT342A

KT342Б

KT342В

KT342Г

Statinis srovės perdavimo koeficientas, kai Ie =7 mA ir Uk =10 V

100 - 250

200 - 500

400 - 1000

50 – 125

Kolektoriaus talpa pF, kai Uk =5 V

8

8

8

8

Atgalinė kolektoriaus srovė mA, kai įtampa Ukb  V :

       

25 (KT342A)

0,5

0,5

0,5

0,5

20 (KT342Б

       

15 (KT342В)

       

25 (KT342Г)

       

Atgalinė emiterio srovė mA, kai Ueb =5 V

30

30

30

30

Maksimali leistinoji įtampa Uke.max V, kai Rb <= 10 kW ir aplinkos temperatūra °C:

       

nuo –60 iki +100

30

25

10

60

125

25

20

10

45

Maksimali leistinoji įtampa Uke.max, kai baze neteka srovė ir temperatūra yra nuo –60 iki +100 °C

25

20

10

25

Soties režimo įtampa V, kai Ik =10 mA ir Ib =1 mA:

       

Uke

0,1

0,1

0,1

0,2

Ueb

0,9

0,9

0,9

1,1

Ribinis dažnis MHz

300

300

300

300

Maksimali leistinoji nuolatinė kolektoriaus srovė mA

50

50

50

50

Maksimali leistinoji impulsinė kolektoriaus srovė mA

300

300

300

300

Maksimali leistinoji kolektoriaus sklaidoma galia * mW

250

250

250

250

*kai aplinkos temperatūra yra aukštesnė kaip 25 °C, Pk×max = (150 – Ta) / 0,5 mW.

Pnp struktūros tranzistoriai KT345 (A, Б, В) gaminami su plastmasiniais korpusais, turinčiais lanksčius išvadus. Jų darbo temperatūrų diapazonas yra nuo –40 iki +85 °C, masė – 0,5 g. Žemiau nurodyti šių tranzistorių elektriniai parametrai.

Statinis srovės perdavimo koeficientas, kai Uk =1 V ir Ie =100 mA:

 

KT345А

20 – 60

KT345Б

50 – 85

KT345В

70 - 105

Srovės perdavimo koeficiento modulis, kai f =100 MHz, Uk =5 V ir Ie =10 mA

3,5

Talpa pF:

 

kolektoriaus, kai Ukb =5 V

15

emiterio, kai f =5  10 MHz ir Ueb =0

30

Išsiurbimo trukmė ns, kai Ib1 =Ib2 =1 mA, Ik =10 mA

 

Atgalinė srovė mA:

 

Soties režimo įtampa V, kai Ik =100 mA ir Ib =10 mA:

 

Uke

0,14 – 0,3

Ueb

0,92 – 1,1

Maksimali leistinoji įtampa Ukb.max V

20

Maksimali leistinoji įtampa Ueb.max V

4

Maksimali leistinoji įtampa Uke.max V

20

Maksimali leistinoji kolektoriaus srovė mA:

 

nuolatinė

200

impulsinė

300

Maksimali leistinoji kolektoriaus sklaidoma galia * mW:

 

nuolatinė

100

impulsinė

300

Maksimali sandūros temperatūra °C

150

Šiluminė varža °C / mW tarp sandūros ir aplinkos

1,1

* kai aplinkos temperatūra aukštesnė kaip 40 °C, Pk×max =(150 – Ta) / 1,1 mW.

Pnp struktūros tranzistoriai KT363 (A, Б) gaminami su metaliniais korpusais, turinčiais lanksčius išvadus. Jų darbo temperatūrų diapazonas yra nuo –40 iki +85 °C, masė – 0,5 g. Žemiau nurodyti šių tranzistorių elektriniai parametrai.

 

KT363A

KT363Б

Statinis srovės perdavimo koeficientas, kai Uk =5 V ir Ie =5 mA:

20 - 70

40 - 120

Kolektoriaus talpa pF, kai Ukb =5 V ir f =10 MHz

2

2

Srovės perdavimo koeficiento modulis, kai f =100 Mhz ir Ie =5 mA

12

15

Ribinis dažnis MHz

1200

1500

Grįžtamojo ryšio grandinės laiko konstanta ps, kai Uk =5 V

50

75

Išsiurbimo trukmė ns, kai Ik =10 mA, o bazės srovė:

   

1 mA

10

-

0,5 mA

-

5

Atgalinė srovė mA:

 

nuolatinė

30

impulsinė, kai t i =1 ms ir retumo koeficientas didesnis kaip 2

50

Soties režimo įtampa V, kai Ik =100 mA ir Ib =10 mA:

 

Uke

0.35

Ueb

1.1

Maksimali leistinoji įtampa Ukb.max V

15

Maksimali leistinoji įtampa Ueb.max V

4

Maksimali leistinoji kolektoriaus sklaidoma galia * mW:

150

* kai aplinkos temperatūra aukštesnė kaip 45 °C, Pk×max =(150 – Ta) / 0.7 mW.

Naudota literatūra:

M. Bodilovskis - ,,Jaunojo radisto žinynas”, Vilnius 1986m.

 A. Lašas, V. Bartkevičius, G. Jasinevičienė, R. Šurna -  ,,Pramoninė elektronika”, Vilnius 1986m.     

Stanislovas ŠTARAS “Fizikinė ir funkcinė elektronika. Mikrobangų puslaidininkiniai prietaisai” (Vilnius 2000)

A. Čepulkauskas  “Radioelektronikos praktikumas”, 1dalis