Elektronika.lt

Elektronika.lt - elektronikos, informacinių ir
ryšių technologijų portalas

Adresas: http://www.elektronika.lt
El. paštas: info@elektronika.lt
 Atspausdinta iš: http://www.elektronika.lt/schemos/garso/81/25w-galios-mosfet-zemo-daznio-stiprintuvas/spausdinti/

25 W galios MOSFET žemo dažnio stiprintuvas

Publikuota: 2003-05-09 22:41
Tematika: Garso technika
Tipas: Vidutiniška
Aut. teisės: el. paštas ©Elektronika.lt

25 W galios MOSFET žemo dažnio stiprintuvas. Galima tiesiogiai jungti prie CD grotuvo, tiunerio ar pan.


Stiprintuvo principinė elektrinė schema


1 pav. Stiprintuvo principinė elektrinė schema.

Detalės

Rezistoriai:
R1,R4: 47K ¼ W
R2: 4K7 ¼ W
R3: 1K5 ¼ W
R5: 390R ¼ W
R6: 470R ¼ W
R7: 33K ¼ W
R8: 150K ¼ W
R9: 15K ¼ W
R10: 27R ¼ W
R11: 500R ½ W (paderinamasis)
R12, R13, R16: 10R ¼ W
R14, R15: 220R ¼ W
R17: 8R2 2 W
R18: R22 4 W (iš laido)
Kondensatoriai:
C1: 470 nF 63 V (poliesterinis)
C2: 330 pF 63 V (polistireninis)
C3, C5: 470 µF 63 V (elektrolitinis)
C4, C6, C8, C11: 100 nF 63 V (poliesterinis)
C7: 100 µF 25 V (elektrolitinis)
C9: 10 pF 63 V (polistireninis)
C10: 1 µF 63 V (poliesterinis)
Tranzistoriai:
Q1–Q5: BC560C (45 V 100 mA)
Q6: BD140 (80 V 1,5 A)
Q7: BD139 (80 V 1,5 A)
Q8: IRF532 (100 V 12 A N-kanalo hexfet)
Q9: IRF9532 (100 V 10 A P-kanalo hexfet)

Maitinimo šaltinio schema


2 pav. Maitinimo šaltinio principinė elektrinė schema.
Rezistoriai:
R1: 3K3 ½ W
Kondensatoriai:
C1: 10 nF 1000 V (poliesterinis)
C2, C3: 4700 µF 50 V (elektrolitiniai)
C4, C5: 100 nF 63 V (poliesteriniai)
Diodai:
D1: 200 V 8 A (diodu tiltelis)
D2: 5 mm (raudonas šviesos diodas)
Kita:
F1, F2: 3,15 A (saugikliai)
T1: 220 V pirmine, 25 + 25 V antrinė. Galia 120 VA
PL1: Elektros šakutė
SW1: SPST maitinimo jungiklis

Pastabos

Galima tiesiogiai jungti prie CD grotuvo, tiunerio ar pan. Tokiu atveju reikia įėjimo grandinėje prijungti logaritmiškai kintančios varžos potenciometrą 10k.

Q6 & Q7 turi turėti nedidelius U formos radiatorius.
Q8 & Q9 turi būti prisukti prie didelio radiatoriaus.

R11 skirtas ramybės srovei nustatyti. Tokiu atveju reikia matuoti srovę, tekančią per tranzistoriaus Q8 D (drain) kojelę ir atsargiai sukti R11, kol ši srovė pasieks 100 mA. Reguliavimo metu į įėjima nereikia paduoti jokio signalo.

Norint išvengti trukdžių ir parazitinių ryšių, labai svarbu teisingai sujungti žemes. Į bendrą žemę reikia sujungti R1, R4, R9, C3…C8. C11 žemę reikia sujungti su išėjimo žeme. Dabar belieka įėjimo ir išėjimo žemes atskirais laidais sujungti su maitinimo šaltinio žeme.

Techniniai duomenys:

Išėjimo galia: ~25 Watt RMS, 8 Ohm (1 KHz sinusinė);
Jautrumas: 200 mV įėjimo įtampa – 25 W išėjimo galia;
Dažnių diapazonas: 30 Hz...20 KHz prie -1 dB netolygumo.

Netiesinių iškraipymų koeficientas, esant šiems dažniams;
1 KHz: 0,1 W 0,014 % 1 W 0,006 % 10 W 0,006 % 20 W 0,007 % 25 W 0,01 %
10 KHz: 0,1 W 0,024 % 1 W 0,016 % 10 W 0,02 % 20 W 0,045 % 25 W 0,07 %

Ypač stabilus esant talpuminio pobūdžio apkrovai.

Parengta pagal: http://users.auth.gr/~mixos/projects/nopcb/audio/005/.

Schema išbandyta. Autorius turi ir PCAD programa padarytą montažinės plokštės brėžinį. Jei turite klausimų: skotis@one.lt.

‡ 1999–2024 © Elektronika.lt LTV.LT - lietuviškų tinklalapių vitrina Valid XHTML 1.0!