JAV kompanija IBM drauge su „GlobalFoundries“ ir P. Korėjos „Samsung“ sukūrė kol kas ploniausių puslaidininkinių lustų gamybos procesą. Kaip praneša kompanija, naujojo technologinio proceso litografinės įrangos skiriamoji geba – 5 nanometrai.
Gamintojai stengiasi laikytis Moore'o dėsnio, skelbiančio, kad integrinės schemos luste telpančių tranzistorių skaičius kas porą metų dvigubėja. Tačiau be galo tranzistorių mažinti negalima – dėl kvantinės fizikos fizikos nubrėžiamų ribų šis dėsnis greitai nustos galioti.
Kaip bebūtų, tačiau kol kas Moore'o dėsnio, gaminant puslaidininkinius prietaisus laikytis įmanoma. Naudojant smulkesnį techninį procesą, galima glaudžiau išdėlioti tranzistorius, o tai savo ruožtu mažina energijos naudojimą ir didina signalo sklidimo greitį.
Naujuoju technologiniu procesu žmogaus nago dydžio luste galima sutalpinti 30 milijardų tranzistorių. Palyginimui, to paties dydžio luste, gaminamame 7 nm technologiniu procesu, telpa tik 20 milijardų tranzistorių.
Dabar lustai serijiniu būdu gaminami, naudojant 10 nm technologinį procesą. Šiuo technologiniu procesu pagaminti „Samsung Galaxy S8“ išmaniųjų telefonų procesoriai „Qualcomm Snapdragon 835“.
IBM duomenimis, 5 nm technologiniu procesu pagaminti lustai bus 40 procentų našesni už gamintus dešimties nanometrų skiriamąja geba. Energijos vartojimas bus 75 % mažesnis, kai našumas panašus.
