Amerikiečių mokslininkai sukūrė greičiausią pasaulyje tranzistorių, kuris gali tapti naujos kartos mikroschemų pagrindu. Ilinojaus universiteto (University of Illinois) mokslininkai Milton Feng ir Walid Hafez pagamino super greitą tranzistorių, užpildę skirtingais puslaidininkių sluoksniais mikroskopinio įtaiso struktūrą. Puslaidininkio ilgis sudaro vieną milijoninę dalį metro ir geba atlikti 604 milijardus operacijų per sekundę. Tyrėjai sukūrė ypatingą komponento tipą - bipoliarinės jungties tranzistorių (angl.: Bipolar Junction Transistor), kuris susideda iš trijų, vienas ant kito esančių, sluoksnių.
Srovės stiprumas priklauso nuo krypties, jos perėjimo per tris sluoksnius - bazės, emiterio ir kolektoriaus. Valdant srovę, pereinančią per bazę prie emiterio, galima valdyti srovę tarp emiterio ir kolektoriaus. Sluoksniams pagaminti buvo panaudoti Indžio fosfido, Indžio ir Galio arsenidų kristalai. Pagrindinė tranzistoriaus darbo našumo padidėjimo priežastis - jog mokslininkai modifikavo kolektoriaus sluoksnio sudėtį, padidinę Indžio dalį, o tai paveikė kristalinę gardelę ir palengvino elektronų perėjimą. Pagal vieno iš mokslininkų pareiškimą, elektronai ne tik ėmė judėti greičiau, bet ir juda toliau neįtikėtinai dideliais greičiais, kol nesustoja kolektoriaus atomuose. Deja, tranzistoriai nepritaikyti valdyti elektriniu lauku, kaip kompiuterių komponentuose, tačiau radijo imtuvams tinka idealiai, pareiškė Kevin Krewell, „Microprocessor Report“ leidinio vyr. redaktorius.
