„Intel“ baigė kurti Intel 18A (1,8 nm klasė) ir Intel 20A (2 nm klasė) proceso technologijas, kurios bus naudojamos gaminant tiek būsimus produktus, tiek trečiųjų šalių lustus, kurie bus išleisti pagal gamybos sutarčių programą „Intel Foundry Services“ (IFS), rašo Kinijos leidinys UDN.
Rui Wang, vyresnysis viceprezidentas ir Intel China vadovas, paskelbė apie dviejų pažangių lustų gamybos procesų kūrimo užbaigimą. Kūrimo pabaiga nereiškia, kad įmonė jau yra pasirengusi gaminti lustus pagal Intel 18A ir Intel 20A technologijų standartus. Tai veikiau rodo, kad gamintojas apsisprendė dėl visų nurodytų techninių procesų charakteristikų, medžiagų, techninių reikalavimų ir numatomų abiejų technologijų veikimo rodiklių.
„Intel 20A“ turės naują „RibbonFET Gate-All-Around“ (GAA) tranzistorių struktūrą, taip pat naują „Back Side Power Delivery“ (BSPD) maitinimo schemą. Ketinimas tuo pat metu įdiegti mažesnių matmenų tranzistorius, naują tranzistorių architektūrą ir naują maitinimo grandinę yra rizikingas „Intel“ žingsnis, tačiau bendrovė tikisi, kad „Intel 20A“ procesas leis jai aplenkti konkurentus, tokius kaip TSMC ir „Samsung“. „Intel“ planuoja pradėti naudoti nurodytą proceso technologiją 2024 m. pirmąjį pusmetį.
Sekanti Intel 18A proceso technologija turėtų būti įdiegta iki tų pačių metų pabaigos ir padidins puslaidininkinių įrenginių efektyvumą dar 10%. Iš pradžių įmonė planavo naudoti ASML Twinscan EXE skaitytuvus su 0,55 NA optika 1,8 nm puslaidininkių gamybai. Tačiau ji nusprendė šį procesą pateikti į rinką anksčiau, todėl turės pasikliauti dabartiniais mažiau pažangiais 0,33 NA Twinscan NXE skeneriais, taip pat dviejų sekų EUV skaitytuvais. „Intel“ mano, kad jos 1,8 nm gamybos procesas bus pažangiausias rinkoje.
Abu technologiniai procesai bus naudojami ne tik pačių „Intel“ lustų gamybai, bet ir kaip „Intel Foundry Services“ (IFS) sutartinės gamybos programos dalis. Bendrovė teigia, kad jau turi 43 potencialius šių technologijų mazgų klientus.
