Paaiškėjo, kad „Samsung“ DRAM gamybos padalinyje buvo užterštos DRAM silicio plokštės. Tai įvyko po to, kai „švarios patalpos“, kuriose laikomi įrankiai naudojami gaminti DRAM lustus 200 mm silicio plokštėse, buvo užterštos. Tai lėmė, kad buvo sugadinta daug silicio plokščių, o tuo pačiu ir DRAM atminties.
Asociatyvi nuotr.
„Švarios patalpos“ puslaidininkių gamyboje yra labai svarbios, nes jos apsaugo silicio gamybą nuo įvairių teršalų. Dėl to, kad „Samsung“ neišlaikė savo „švarių patalpų“ saugių buvo sugadinta DRAM silicio plokščių už keletą mlrd. Pietų Korėjos vonų. Tai būtų keletas mln. JAV dolerių.
„Samsung“ tikina, kad šis incidentas nepaveiks DRAM rinkos.
