Intel kompanijos tyrinėtojai sukūrė pirmą pasaulyje puslaidininkinį nenutrūkstamo spinduliavimo silicio lazerį. Laukiama, kad pasiūlyta technologija ateityje leis kurti nebrangius lazerius medicinos ir mokslo tikslams ir, be to, sąlygos naujos kokybiškos kompiuterinės įrangos atsiradimą.
Pasiūlyta technologija pagrįsta Ramano efektu, kurio esmė yra sekanti. Šviesa, patenkanti ant kristalo, iššaukia atomų vibraciją, kas, savo ruožtu, sąlygoja antrinį spinduliavimą kitame bangos ilgyje. Stiprinant šį antrinį spinduliavimą, galima gauti darbinį spindulį. Tačiau, egzistuoja viena rimta problema. Esmė tame, kad išorinis spinduliavimas sąlygoja laisvų elektronų debesio atsiradimą, kuris sugeria antrinę šviesą. To rezultate, nebelieka ką stiprinti. Su šia problema Intel susidorojo kuriant elektrinį lauką, atitraukiantį laisvus elektronus iš antrinės šviesos praėjimo srities.
Pagal naują technologiją sukurtas silicio lazeris gali dirbti nenutrūkstamai kambario temperatūroje, kol paduodama darbinė įtampa. Šiuo metu metodika dar yra kūrimo stadijoje, ir pirmi komerciniai silicio lazerių pavyzdžiai pasirodys ne anksčiau nei po 5 metų.
