Elektronika.lt

Elektronika.lt - elektronikos, informacinių ir
ryšių technologijų portalas

Adresas: http://www.elektronika.lt
El. paštas: info@elektronika.lt
 Atspausdinta iš: http://www.elektronika.lt/naujienos/elektronika/3600/32-nm-ne-riba-optinei-litografijai/spausdinti/

32 nm – ne riba optinei litografijai

Publikuota: 2006-02-23 11:22
Tematika: Elektronika, technika
Autorius: Pavel Kapiš
Inf. šaltinis: 3DNews.Ru

Bet kokia technologija, taip pat ir optinė litografija, kada nors pasens, ir visokie patobulinimai tik nutolins neišvengiamą baigtį. Puslaidininkinių mikroschemų gamybai jau yra apibrėžtas technologinis barjeras, tačiau IBM inžinieriams pavyko sukurti pačias mažiausias miniatiūrines 29,9 nm pločio struktūras, naudojant 193 nm optinę litografiją. Apie savo pasiekimą IBM pareiškė pirmadienį vykusioje konferencijoje „SPIE Microlithography 2006“, kur taip pat buvo pažymėti naujų struktūrų privalumai šiuo metu gaminamų atžvilgiu.

Taikant optinius skenerius, turinčius giliojo ultravioletinės spektro dalies spinduliavimo (Deep-UV) šaltinį, struktūrų dydis yra tris kartus mažesnis nei tų, kurios naudojamos šiuolaikinėje puslaidininkinėje 90 nm pramonėje ir, atitinkamai, mažesnis, nei minėtas technologinis barjeras (32 nm). Suprantama, konferencijoje buvo pristatytas ir eksperimentinis litografijos įtaisas, kuriam suteiktas originalus pavadinimas: „Nemo.“

‡ 1999–2024 © Elektronika.lt LTV.LT - lietuviškų tinklalapių vitrina Valid XHTML 1.0!