„Intel“ pristatė naujo tranzistoriaus prototipą, kuris išsiskiria padidintu darbo greičiu bei sumažėjusiu energijos suvartojimu. Tranzistorius sukurtas bendradarbiaujant su „QinetiQ“. Pristatytas prototipas – tai išplėsta versija tranzistoriaus, kuris elektros krūvių laidumui naudoja InSb. Ši medžiaga jau seniai elektronikoje (pavyzdžiui, mikrobangų įrenginiuose, puslaidininkiniuose lazeriuose, radijo signalų stiprintuvuose) yra naudojama kaip puslaidininkis.
Ankstesni „Intel“ tranzistoriai turėjo tik kanalus iš InSb. Naujasis tranzistorius pagamintas pagal 85 nm technologiją ir yra mažiausias iš visų iki šiol pagamintų tranzistorių. Kaip teigia gamintojas, tranzistoriaus darbo įtampa – 0,5V.
