Pasaulinė pažangių atminties technologijų gamintoja „Samsung Electronics” pradėjo masinę 512 Mb DRAM atminties gamybą. Nuo šiol 512 Mb aktyvioji atmintis bus diegiama mobiliuose prietaisuose panaudojus 90 nm technologiją.
„Samsung” 512 Mb DRAM technologija leidžia itin sparčiai apdoroti trimatę grafiką – net 1,3 Gb/s greičiu. Sujungus dvi 512 Mb DRAM atmintis talpą galima praplėsti ir iki 1 GB – tokia galimybė yra itin aktuali didėjant trimačių vaizdų bei aukštos rezoliucijos nuotraukų paklausai mobiliuose telefonuose.
Rinkos tyrėjų „Dataquest“ duomenimis, mobiliųjų telefonų rinka 2005 -2010 m. kasmet augs 9 proc., o mobiliosios DRAM atminties rinkos augimo tempai tuo pačiu periodu sieks net 114 proc. per metus.
„Samsung Electronics“, kuri pirmoji ir sukūrė 90 nm 512 Mb mobiliąją DRAM atmintį, lyderiauja naujos kartos atminties lustų bei kitų atminties technologijų kūrime bei gamyboje.
