„Samsung Electronics“ paskelbė pramoniniu būdu pradėjusi gaminti 20 nanometrų technologijos atminties lustus, naudojamus „flash“ atmintyse.
Kompanijos teigimu, tai, kad tik praėjus metams po to, kai buvo pradėta naudoti 30 nm technologija, pavyko sukurti sekančios kartos technologiją, rodo, kad inovacijų greitis elektronikoje nemažėja.
Naujųjų atminčių charakteristikos daugeliu atveju net pralenkia elektronikos prietaisų gamintojų poreikius - „Samsung“ 20 nm NAND (NAND - Not AND, vienas iš „flash“ atminčių tipų, dar yra ir NOR – Not OR) atmintis yra 30 procentų greitesnė nei 30 nm technologijos atmintis: jos skaitymo greitis 20 MB/s, rašymo greitis 10 MB/s, o patikimumas – toks pats.
„Samsung Electronics“ planuoja gaminti įvairios talpos lustus, nuo 4 GB iki 32 GB.
