Pietų Korėjos kompanija „Samsung“, pasak šaltinių internete, kitą mėnesį ketina organizuoti masinę PRAM atminties modulių gamybą.
PRAM (Phase-change Random Access Memory) atminties veikimo principas pagrįstas chalkohenidinių puslaidininkių savybe būti dvejose stabiliose fazinėse būsenose. Vienoje iš šių fazių medžiaga yra nelaidaus amorfinio pavidalo, o kitoje – kristalinis laidininkas.
PRAM atmintis turi eilę privalumų: duomenys gali būti įrašomi be jų išankstinio ištrynimo, tai ženkliai padidina veikimo greitį. Be to, PRAM atmintis tarnauja ilgiau. Pagal turimus duomenis, iš pradžių „Samsung“ gamins tik 512 MM PRAM atmintines, kurios bus skirtos grotuvams, mobiliesiems telefonams, kompiuterinei įrangai ir t. t. Be „Samsung“, PRAN atmintinių rinka domisi ir kitos kompanijos, pavyzdžiui, „Intel“.
