Elektronika.lt

Elektronika.lt - elektronikos, informacinių ir
ryšių technologijų portalas

Adresas: http://www.elektronika.lt
El. paštas: info@elektronika.lt
 Atspausdinta iš: http://www.elektronika.lt/naujienos/elektronika/1048/samsung-sukure-didziausiu-pajegumu-dvigubo-lizdo-intelektualiuju-korteliu-integrines-schemas-su-imontuota-eeprom/spausdinti/

„Samsung“ sukūrė didžiausių pajėgumų dvigubo lizdo intelektualiųjų kortelių integrines schemas su įmontuota EEPROM

Publikuota: 2005-04-26 13:08
Tematika: Elektronika, technika
Inf. šaltinis: Samsung Electronics

Pažangiausia puslaidininkių technologijų kūrėja „Samsung Electronics“ sukūrė dvi dvigubo lizdo intelektualiųjų kortelių integrines schemas (dual interface smart card IC) S3CC9GC ir S3CC9GW su įmontuotomis 72kB bei 144kB EEPROM atmintimis. „Samsung“ naujasis produktas atitinka tarptautinius intelektualiųjų kortelių standartus, būtinus finansiniams pervedimams atlikti ir galinčius saugoti visų tipų asmeninę ir biologinę informaciją, kuri netrukus bus apsaugota elektroniniais slaptažodžiais.

„Samsung“ dvigubo lizdo kortelė leidžia tiek kontaktines, tiek ir nekontaktines operacijas. Naujose integrinėse schemose naudojamas „Samsung“ patentuotas 16 bitų „CalmRISC“ procesorius ir RSA koprocesorius, leidžiantis PKI tipo finansinius pervedimus ir maitinantis programas su kodavimo įrenginiais tokiais kaip simetriškieji 3-DES/AES kodavimo algoritmai.

Šios „Samsung“ integrinės schemos maitina A ir B tipų nekontaktinius ISO14443 lizdus, leidžiančius 100 proc. suderinti šią technologiją su jau egzistuojančiomis dvigubos jungties kortelėmis. Naujoji integrinė schema apsaugota nuo įsilaužėlių, todėl eliminuoja informacijos nuotėkį.

Rinkos tyrėjų „Dataquest“ teigimu, dvigubo lizdo intelektualiųjų kortelių paklausa turėtų augti nuo 250 mln. 2005 m. iki 516 mln. 2008 m. - 27,4 proc. sudėtiniu metiniu augimo dydžiu (CAGR). „Kompanija džiaugiasi matydama tokius rinkos pokyčius ir galėdama tenkinti esamus poreikius bei siūlyti pažangias technologijas anksčiau už konkurentus“, - sako „Samsung“ elektroninių sistemų plėtros vice prezidentas Chung Chilhee. „Daug pasiekėme praėjusiais metais, kai sukurėme intelektualiosios kortelės integrinę schemą su 512 kB EEPROM, tokią pat integrinę schemą su 1MB laikinąja atmintimi ir intelektualiąją kortelę su 128MB NAND laikinąją atmintimi. Šią strategiją tęsiame pristatydami dvigubo lizdo intelektualiosios kortelės integrinę schemą“.

„Samsung“ planuoja pradėti 72 kB ir 144 kB talpos schemų masinę gamybą atitinkamai antrąjį ir trečiąjį šių metų ketvirtį. Šios schemos bus prieinamos visiems pasaulio intelektualiųjų kortelių gamintojams.

‡ 1999–2024 © Elektronika.lt LTV.LT - lietuviškų tinklalapių vitrina Valid XHTML 1.0!