„Samsung Electronics“ pristatė 4Gbit talpos „fleš“ atminties mikroschemas (ang. - flash), pagamintas pagal „OneNAND“ technologiją. Toliau naujosios atminties mikroschemas planuojama naudoti mobiliuosiuose telefonuose ir kituose mobiliuosiuose įrenginiuose. Būtina „OneNAND“ darbui įtampa - 1,8V, kas beveik du kartus mažiau nei dabar esančių „fleš“ atmintinių (3,3V).
Viename QDP (Quad Die Package) korpuse patalpintos keturios 1Gbit mikroschemos (90nm technologija). Atminties mikroschemos storis - 1,4mm, plotis - 13mm ir ilgis - 11mm. Pagal gamintojų pranešimą, skaitymo greitis siekia 108Mb/s, o įrašymo - 10Mb/s. Pranešime taip pat nurodoma, jog serijinė 4Gbit „OneNAND“ gamyba prasidės šių metų birželio mėnesį.
